Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
- Potencia de salida de hasta 84W típicamente
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Cinta y carrete: 500 unidades disponible
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseño para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
- Modelo:RD70HUF2
- Marca:RF PARTS
- Código SAT:32111600
- Garantía:3 años con SYSCOM
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Especificaciones
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
DESCRIPCIÓN
RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
Producto RoHS compliant indicado por la letra 'G' después del marcado de lote. Incluye plomo en soldaduras de alta temperatura de fusión (aleaciones de estaño-plomo con más del 85% de plomo).
CARACTERISTICAS
- Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
- Empleando el paquete de molde
- Alta potencia y alta eficiencia
- Diodo integrado de protección de la puerta.
Especificaciones de Potencia
530 MHz: Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W
175 MHz: Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.
ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
Ratings Máximos Absolutos (Tc=25°C)
VDSS: Voltaje Drenaje-Fuente (Vgs=0V)
40 V
VGSS: Voltaje Puerta-Fuente (Vds=0V)
-5/+10 V
Pch: Disipación de Canal (Tc=25°C)
300 W
Pin: Potencia de Entrada (Zg=Zl=50Ω)
12 W
ID: Corriente de Drenaje
20 A
Tch: Temperatura de Canal
175 °C
Tstg: Temperatura de Almacenamiento
-40 a +175 °C
Rthj-c: Resistencia Térmica Junción-Carcasa
0.5 °C/W
Características Eléctricas (Tc=25°C)
IDSS: Corriente de Drenaje con Puerta en Cero (VDS=37V, VGS=0V)
Máx: 150 μA
IGSS: Corriente de Fuga Puerta-Fuente (VGS=10V, VDS=0V)
Máx: 2.5 μA
VTH: Voltaje Umbral de Puerta (VDS=12V, IDS=1mA)
Min: 1.6V, Típ: 2.0V, Máx: 2.4V
VSWRT: Tolerancia VSWR de Carga (20:1)
Todas las fases, VDS=16.3V después de ajustar Pout a 70W
INFORMACIÓN DE EVALUACIÓN
Placas de evaluación: Mitsubishi VHF Evaluation Board (f=135-175MHz), Mitsubishi UHF Evaluation Board (f=450-530MHz)
Nota de aplicación: Referirse a 'AN-VHF-049' para información detallada de la placa de evaluación VHF
Fecha de publicación: Octubre 2011
