RadiocomunicaciónRefaccionesKENWOOD / ICOM / TXPRO
Vista 1 del producto
Vista 1 del producto
Imagen

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

  • Transistor NPN epitaxial de silicio
  • Frecuencia máxima de operación 30 MHz
  • Tensión de colector 13.5 Vcc
  • Potencia máxima de salida 70 Watt
  • Encapsulado formato T-40E
  • Modelo:2SC2097
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111600
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

Características técnicas

  • Tipo: Transistor NPN de Silicio Epitexial
  • Frecuencia: 30 MHz
  • Tensión colector-emisor: 13.5 Vcc
  • Potencia: 70 Watt
  • Encapsulado: T-40E
  • Corriente de colector (IC): 15 A
  • Corriente de base (IB): 3 A
  • Ganancia de corriente (hFE): 15-60
  • Tensión colector-base (VCBO): 30 V
  • Tensión emisor-base (VEBO): 5 V

Aplicaciones

  • Amplificadores de RF y audio
  • Circuitos de conmutación de potencia
  • Sistemas de transmisión
  • Equipos de comunicaciones
  • Control de motores y cargas
  • Amplificadores de potencia de RF clase C
  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Sistemas de alimentación conmutada
Especificaciones eléctricas
  • VCEO: 13.5 V
  • IC: Hasta 15 A
  • PTOT: 70 W
  • fT: 30 MHz
  • hFE: 15-60
  • VCBO: 30 V (Tensión colector-base)
  • VEBO: 5 V (Tensión emisor-base)
  • IB: 3 A (Corriente de base máxima)
  • VCE(sat): 1.5 V máximo (Tensión saturación colector-emisor)
  • VBE(sat): 2.5 V máximo (Tensión saturación base-emisor)
Características mecánicas
  • Encapsulado: T-40E (TO-220)
  • Terminales: 3 pines estándar
  • Disipador: Requiere disipación térmica
  • Montaje: PCB o disipador
  • Temperatura: -55°C a +150°C
  • Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
  • Peso: Aproximadamente 2.0 g
  • Material del encapsulado: Plástico epóxico
Consideraciones de diseño
  • Requiere disipación térmica adecuada
  • Compatibilidad con circuitos de 12-15V
  • Adecuado para aplicaciones de potencia media
  • Estabilidad en frecuencia hasta 30 MHz
  • Protección contra sobrecarga recomendada
  • Diseñado para operación en amplificadores clase C
  • Requiere consideración de voltajes de saturación en diseño de conmutación
  • Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad
  • Considerar límites de corriente de base en diseño de circuitos de excitación

Información de integración

  • Transistor de potencia para aplicaciones de RF y audio
  • Compatibilidad con circuitos de 12-15V DC
  • Requiere consideraciones térmicas en diseño
  • Adecuado para amplificadores y conmutadores
  • Diseñado específicamente para amplificadores de RF clase C
  • Voltajes de saturación: VCE(sat) ≤ 1.5V, VBE(sat) ≤ 2.5V
  • Corriente de base máxima: 3 A para operación óptima

Compatibilidad

  • Circuitos de alimentación 12-15V
  • Amplificadores de RF hasta 30 MHz
  • Sistemas de audio de potencia media
  • Control de motores y cargas inductivas
  • Amplificadores de potencia de RF clase C
  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Sistemas de alimentación conmutada (SMPS)
  • Aplicaciones de control de motores de CC