RadiocomunicaciónRefaccionesKENWOOD / ICOM / TXPRO
Vista 1 del producto
Vista 1 del producto
Imagen

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

  • Transistor NPN de potencia RF de silicio
  • Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
  • Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
  • Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
  • Potencia de salida máxima de 10 Watt
  • Modelo:MRF475
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111600
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

Especificaciones Técnicas
  • Tipo: NPN de Potencia RF
  • Material: Silicio
  • Frecuencia: 30 MHz
  • Tensión Colector-Emisor: 13.6 Vcc
  • Corriente Colector: 4.0 Amp
  • Potencia: 10 Watt
  • Encapsulado: TO-220AB
  • VCEO (BVCEO): 18 V (IC = 20 mA)
  • VCB (BVCES): 48 V (IC = 50 mA)
  • VEBO (BVEBO): 4.0 V (IE = 5.0 mA)
  • ICBO: 1.0 mA (VCB = 25 V)
  • hFE: 30-60 (VCE = 5.0 V, IC = 500 mA)
  • Cob: 125-145 pF (VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz)
Características de Aplicación
  • Frecuencia RF: Hasta 30 MHz
  • Potencia de Salida: 10W continuos
  • Corriente Máxima: 4A
  • Encapsulado: TO-220 para montaje
  • Compatibilidad: Circuitos de potencia RF
  • Disipación: Requiere disipador térmico
  • Ganancia de Potencia (GηP): 10-12 dB
  • Eficiencia Colector (η): 40% (f = 3.0 MHz, VCC = 13.6 V, ICQ = 200 mA, Pout = 12 W PEP)
  • Distorsión de Intermodulación (IMD): -30 dB
  • Resistencia Térmica (θJC): 12.5 °C/W
  • Rango de Temperatura de Unión: -65 °C a +150 °C

Consideraciones Técnicas

  • Transistor de potencia RF para aplicaciones de frecuencia media
  • Tensión de operación máxima: 13.6V entre colector y emisor
  • Corriente máxima del colector: 4.0 amperios
  • Potencia de disipación: 10 vatios
  • Encapsulado TO-220AB para montaje con disipador
  • Adecuado para amplificadores RF de potencia
  • Resistencia térmica unión-carcasa: 12.5 °C/W, requiere cálculo térmico preciso
  • Capacitancia de salida (Cob): 125-145 pF afecta el diseño de circuitos de sintonización
  • Ganancia de corriente (hFE): 30-60 proporciona estabilidad en amplificación lineal
  • Tensión colector-base máxima: 48V para protección contra transitorios

Aplicaciones Típicas

  • Amplificadores RF de potencia
  • Transmisores de baja potencia
  • Circuitos de conmutación RF
  • Sistemas de comunicación
  • Equipos de prueba y medición RF
  • Circuitos de potencia en frecuencia
  • Amplificadores FM de gran señal para 13.6V
  • Etapas de salida en transmisores de 30 MHz
  • Circuitos donde se requiere baja distorsión de intermodulación (-30 dB)
  • Aplicaciones que demandan eficiencia de colector del 40%

Consideraciones de Montaje

  • • Requiere disipador térmico adecuado
  • • Aislamiento eléctrico del encapsulado
  • • Consideraciones de impedancia de entrada/salida
  • • Polarización adecuada para operación lineal
  • • Pinout: 1 = Base, 2 = Colector, 3 = Emisor (TO-220AB common emitter)
  • • Tab del encapsulado conectado al colector
  • • Considerar capacitancia Cob en diseño de circuitos de sintonización

Parámetros Clave

  • • Frecuencia máxima: 30 MHz
  • • VCEO: 13.6V
  • • IC: 4.0A
  • • Ptot: 10W
  • • BVCEO: 18V (IC = 20 mA)
  • • BVCES: 48V (IC = 50 mA)
  • • hFE: 30-60
  • • θJC: 12.5 °C/W

Parámetros de RF

  • • Ganancia de potencia: 10-12 dB
  • • Eficiencia colector: 40%
  • • IMD: -30 dB
  • • Cob: 125-145 pF
  • • Rango temperatura unión: -65°C a +150°C
  • • Diseñado para 13.6V FM large-signal