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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

  • Transistor NPN de silicio con 100 VCE
  • Alta corriente de 4 Amperios
  • Frecuencia de operación a 130 MHz
  • Potencia media de 1.2 Watt
  • Formato compacto TO-92
  • Modelo:ZTX853-ND
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111600
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Características Técnicas

  • Tipo: Transistor Planar de Silicio NPN
  • Tensión Colector-Emisor (Vce): 100 V
  • Corriente de Colector: 4 A
  • Frecuencia de Transición: 130 MHz
  • Potencia Media: 1.2 Watt
  • Encapsulado: TO-92
  • Corriente de Pico: Hasta 10 A
  • Tensión Base-Emisor (Vbe): 830-950 mV (IC=4A, VCE=2V)
  • Capacitancia de Salida (Cobo): 35 pF (VCB=10V, f=1MHz)
  • Tiempos de Conmutación: ton=50 ns, toff=1650 ns

Aplicaciones

  • Amplificadores de audio
  • Circuitos de conmutación
  • Drivers de motores
  • Fuentes de alimentación
  • Circuitos de control industrial
  • Circuitos de conmutación de alta corriente
  • Drivers de lámparas y relés
  • Reguladores lineales de potencia
Parámetros Eléctricos
  • Vceo: 100 V
  • Ic (cont.): 4 A
  • Ptot: 1.2 W
  • hFE: 100-300
  • Vce(sat): 0.5 V típico
  • Vcbo: 200-300 V (IC=100μA)
  • Vcer: 200-300 V (IC=1mA, RB≤1kΩ)
  • Vebo: 6-8 V (IC=100μA)
  • Icm (pico): 10 A
  • Iceo: ≤50 nA (VCE=150V, RB≤1kΩ)
  • Iebo: ≤10 nA (VEB=6V)
Características de Encapsulado
  • Tipo: TO-92
  • Terminales: 3
  • Material: Plástico
  • Montaje: Through-hole
  • Temperatura: -55°C a +150°C
  • Rth(j-amb): 150 °C/W
  • Rth(j-case): 50 °C/W
  • Ptotp (práctica): 1.58 W (con PCB de 1 pulg² mínimo)
  • Tj max: +200 °C
Consideraciones de Diseño
  • Disipación: Requiere disipador adecuado
  • Polarización: Configuración NPN estándar
  • Frecuencia: Adecuado para aplicaciones de audio
  • Corriente: Manejo de corriente media-alta
  • Compatibilidad: Sustitución directa para modelos similares
  • Vce(sat) detallado: 14-50 mV (IC=0.1A, IB=5mA), 100-150 mV (IC=2A, IB=100mA), 160-200 mV (IC=4A, IB=400mA)
  • Vbe(sat): 960-1100 mV (IC=4A, IB=400mA)
  • hFE por corriente: 100-300 (IC=10mA), 50-100 (IC=4A), 20-30 (IC=10A)
  • Medición pulsada: Ancho de pulso=300μs, ciclo de trabajo≤2%

Características Térmicas

Disipación de Potencia

  • Ptot @ 25°C: 1.2 W
  • Ptotp (práctica): 1.58 W (montado en PCB con cobre ≥1 pulg²)
  • Derating: 8 mW/°C sobre 25°C

Resistencias Térmicas

  • Junction-Ambiente: 150 °C/W
  • Junction-Case: 50 °C/W
  • Impedancia térmica transitoria: Curva disponible en datasheet