RadiocomunicaciónRefaccionesKENWOOD / ICOM / TXPRO
Vista 1 del producto
Vista 1 del producto
Imagen

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

  • Transistor NPN de potencia RF
  • Funciona en frecuencia de 470 MHz
  • Ganancia de 6.2 dB
  • Potencia de salida de 25 watt
  • Tecnología de silicio avanzada
  • Modelo:MRF644
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111607
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

Características Técnicas

  • Tipo: Transistor NPN de Potencia RF
  • Material: Silicio
  • Frecuencia: 470 MHz
  • Ganancia: 6.2 dB
  • Potencia: 25 Watt
  • Referencia: 316-01
  • Tensión de operación: 12.5 Vdc
  • Eficiencia del colector: 60% típica
  • Corriente de colector máxima: 4.0 Adc
  • Disipación total del dispositivo: 103 W @ TC = 25°C
  • Resistencia térmica: 1.7 °C/W (junction to case)

Aplicaciones

  • Amplificadores de potencia RF
  • Sistemas de transmisión en 470 MHz
  • Equipos de comunicaciones profesionales
  • Sistemas de radio en banda UHF
  • Infraestructura de telecomunicaciones
  • Equipos FM industriales y comerciales hasta 512 MHz
  • Amplificadores de gran señal para aplicaciones UHF
Especificaciones Eléctricas
  • Frecuencia de operación: 470 MHz
  • Ganancia de potencia: 6.2 dB
  • Potencia de salida: 25 W
  • Tipo de transistor: NPN
  • Material semiconductor: Silicio
  • Tensión colector-emisor (VCEO): 16 Vdc
  • Tensión colector-base (VCBO): 36 Vdc
  • Tensión emisor-base (VEBO): 4.0 Vdc
  • Ganancia de corriente DC (hFE): 40-100 (70 típico)
  • Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF
  • Potencia de entrada (Pin): 5.0-6.0 Watts
Características de Diseño
  • Optimizado para: Aplicaciones de potencia RF
  • Banda de frecuencia: UHF (470 MHz)
  • Referencia industrial: 316-01
  • Compatibilidad: Diseños de amplificadores estándar
  • Nivel de integración: Componente discreto
  • Red de matching incorporada: Para operación broadband
  • Impedancia de entrada serie equivalente: 1.2 + j3.3 Ohms
  • Impedancia de salida serie equivalente: 1.9 + j2.1 Ohms
  • Test de desajuste de carga: 20:1 VSWR en todos los ángulos de fase
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C
Consideraciones de Integración
  • Diseño de circuito: Requiere matching de impedancia
  • Disipación térmica: Necesita gestión de calor adecuada
  • Polarización: Configuración NPN estándar
  • Estabilidad: Requiere redes de estabilización
  • Compatibilidad: Diseños de RF profesionales
  • Tensión de alimentación recomendada: 12.5 Vdc
  • Corriente de colector máxima operativa: 3.6 Adc @ 25W
  • Derating térmico: 0.59 W/°C por encima de 25°C
  • Test de estrés por desajuste: Verificado con 20:1 VSWR y 50% de sobreexcitación
  • Fotomaste de placa de circuito: Disponible bajo solicitud

Información Técnica

  • Frecuencia central: 470 MHz
  • Ancho de banda: Diseñado para operación en banda estrecha
  • Eficiencia: Optimizado para aplicaciones de potencia
  • Compatibilidad: Circuitos de RF profesionales
  • Frecuencia máxima de operación: Hasta 512 MHz
  • Configuración de pines (CASE 316-01): 1.Emitter, 2.Collector, 3.Emitter, 4.Base
  • Corriente de corte del colector (ICES): Máx. 5.0 mAdc
  • Voltaje de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO): Mín. 16 Vdc

Aplicaciones Específicas

  • Transmisores profesionales UHF
  • Amplificadores de etapa final
  • Sistemas de radio profesional
  • Infraestructura de telecomunicaciones
  • Equipos FM industriales y comerciales
  • Amplificadores de gran señal para 12.5V
  • Sistemas operando hasta 512 MHz
  • Aplicaciones con requerimientos de robustez ante desajustes de carga