Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

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Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01. - 1

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

MRF644

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF
Funciona en frecuencia de 470 MHz
Ganancia de 6.2 dB
Potencia de salida de 25 watt
Tecnología de silicio avanzada

Especificaciones Técnicas

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

Características Técnicas

Tipo: Transistor NPN de Potencia RF
Material: Silicio
Frecuencia: 470 MHz
Ganancia: 6.2 dB
Potencia: 25 Watt
Referencia: 316-01
Tensión de operación: 12.5 Vdc
Eficiencia del colector: 60% típica
Corriente de colector máxima: 4.0 Adc
Disipación total del dispositivo: 103 W @ TC = 25°C
Resistencia térmica: 1.7 °C/W (junction to case)

Aplicaciones

Amplificadores de potencia RF
Sistemas de transmisión en 470 MHz
Equipos de comunicaciones profesionales
Sistemas de radio en banda UHF
Infraestructura de telecomunicaciones
Equipos FM industriales y comerciales hasta 512 MHz
Amplificadores de gran señal para aplicaciones UHF

Especificaciones Eléctricas

Frecuencia de operación: 470 MHz
Ganancia de potencia: 6.2 dB
Potencia de salida: 25 W
Tipo de transistor: NPN
Material semiconductor: Silicio
Tensión colector-emisor (VCEO): 16 Vdc
Tensión colector-base (VCBO): 36 Vdc
Tensión emisor-base (VEBO): 4.0 Vdc
Ganancia de corriente DC (hFE): 40-100 (70 típico)
Capacitancia de salida (Cob): 60-85 pF
Potencia de entrada (Pin): 5.0-6.0 Watts

Características de Diseño

Optimizado para: Aplicaciones de potencia RF
Banda de frecuencia: UHF (470 MHz)
Referencia industrial: 316-01
Compatibilidad: Diseños de amplificadores estándar
Nivel de integración: Componente discreto
Red de matching incorporada: Para operación broadband
Impedancia de entrada serie equivalente: 1.2 + j3.3 Ohms
Impedancia de salida serie equivalente: 1.9 + j2.1 Ohms
Test de desajuste de carga: 20:1 VSWR en todos los ángulos de fase
Rango de temperatura de almacenamiento: -65 a +150 °C

Consideraciones de Integración

Diseño de circuito: Requiere matching de impedancia
Disipación térmica: Necesita gestión de calor adecuada
Polarización: Configuración NPN estándar
Estabilidad: Requiere redes de estabilización
Compatibilidad: Diseños de RF profesionales
Tensión de alimentación recomendada: 12.5 Vdc
Corriente de colector máxima operativa: 3.6 Adc @ 25W
Derating térmico: 0.59 W/°C por encima de 25°C
Test de estrés por desajuste: Verificado con 20:1 VSWR y 50% de sobreexcitación
Fotomaste de placa de circuito: Disponible bajo solicitud

Información Técnica

Frecuencia central: 470 MHz
Ancho de banda: Diseñado para operación en banda estrecha
Eficiencia: Optimizado para aplicaciones de potencia
Compatibilidad: Circuitos de RF profesionales
Frecuencia máxima de operación: Hasta 512 MHz
Configuración de pines (CASE 316-01): 1.Emitter, 2.Collector, 3.Emitter, 4.Base
Corriente de corte del colector (ICES): Máx. 5.0 mAdc
Voltaje de ruptura colector-emisor (V(BR)CEO): Mín. 16 Vdc

Aplicaciones Específicas

Transmisores profesionales UHF
Amplificadores de etapa final
Sistemas de radio profesional
Infraestructura de telecomunicaciones
Equipos FM industriales y comerciales
Amplificadores de gran señal para 12.5V
Sistemas operando hasta 512 MHz
Aplicaciones con requerimientos de robustez ante desajustes de carga