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Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

  • Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
  • Rango de frecuencias: 30-500 MHz
  • Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
  • Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
  • Potencia máxima de salida: 125 Watt
  • Modelo:MRF392
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111607
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Características Técnicas

  • Tipo: Transistor de Silicio NPN
  • Rango de Frecuencia: 30-500 MHz
  • Tensión Colector-Emisor: 28 Vcc
  • Ganancia: 10 dB
  • Potencia: 125 Watt
  • Referencia: 744A-01
  • Configuración: Push-Pull (dos transistores en un solo paquete)
  • Corriente Colector Máxima: 16 A DC
  • Ganancia DC (hFE): 40-100 (típico 60 @ IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V)

Aplicaciones

  • Amplificadores de RF de banda ancha
  • Sistemas de comunicación VHF/UHF
  • Equipos de transmisión profesional
  • Sistemas de radio móvil
  • Infraestructura de telecomunicaciones
  • Etapas de salida y driver de amplificadores de gran señal
  • Configuraciones push-pull para reducción de armónicos pares
Especificaciones Eléctricas
  • VCEO: 28 V
  • IC: 10 A
  • Pout: 125 W
  • Gp: 10 dB
  • Eficiencia: >60%
  • VCEO Máxima: 30 Vdc
  • VCBO Máxima: 60 Vdc
  • VEBO Máxima: 4.0 Vdc
  • Corriente Colector Máxima: 16 Adc
  • Capacitancia de Salida (Cob): 75-95 pF @ VCB = 28 Vdc, f = 1.0 MHz
Características de Frecuencia
  • Frecuencia mínima: 30 MHz
  • Frecuencia máxima: 500 MHz
  • Ancho de banda: 470 MHz
  • Aplicación típica: 30-512 MHz
  • Frecuencia de especificación: 400 MHz (características especificadas)
  • Impedancias de entrada/salida: Proporcionadas para 100, 225, 400, 450, 500 MHz
Características Mecánicas
  • Paquete: SOT-539A
  • Terminales: 4 pines
  • Material: Cerámica-metal
  • Disipación térmica: Optimizada
  • Case: 744A-01, Style 1
  • Disipación Total del Dispositivo: 270 W @ TC = 25°C
  • Derating térmico: 1.54 W/°C sobre 25°C
  • Resistencia Térmica (RθJC): 0.65 °C/W
  • Temperatura de Unión Máxima: 200 °C

Consideraciones de Integración

Transistor de potencia RF diseñado para aplicaciones profesionales en el rango de 30-500 MHz. Adecuado para sistemas que requieren alta potencia y estabilidad en banda ancha.

Recomendado para diseños que exigen rendimiento consistente en condiciones de operación exigentes. Compatible con circuitos de polarización estándar para amplificadores de clase AB.

Características de Diseño: Configuración push-pull con dos transistores en un solo paquete, con bases y colectores separados y emisores comunes. Esta disposición permite operación push-pull en un dispositivo compacto.

Redes de Adaptación: Incluye redes de adaptación de impedancia de entrada integradas para operación de banda ancha. La configuración push-pull reduce armónicos de número par.

Fiabilidad: Sistema de metalización con oro para alta fiabilidad. 100% probado para desadaptación de carga (VSWR = 30:1, todos los ángulos de fase).

Recursos de Diseño: Fotomaster de placa de circuito disponible bajo solicitud contactando a RF Tactical Marketing en Phoenix, AZ.