Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Características Técnicas

• Tipo: Transistor de Silicio NPN
• Rango de Frecuencia: 30-500 MHz
• Tensión Colector-Emisor: 28 Vcc
• Ganancia: 10 dB
• Potencia: 125 Watt
• Referencia: 744A-01
• Configuración: Push-Pull (dos transistores en un solo paquete)
• Corriente Colector Máxima: 16 A DC
• Ganancia DC (hFE): 40-100 (típico 60 @ IC = 1.0 A, VCE = 5.0 V)

Aplicaciones

• Amplificadores de RF de banda ancha
• Sistemas de comunicación VHF/UHF
• Equipos de transmisión profesional
• Sistemas de radio móvil
• Infraestructura de telecomunicaciones
• Etapas de salida y driver de amplificadores de gran señal
• Configuraciones push-pull para reducción de armónicos pares

Transistor de potencia RF diseñado para aplicaciones profesionales en el rango de 30-500 MHz. Adecuado para sistemas que requieren alta potencia y estabilidad en banda ancha.

Recomendado para diseños que exigen rendimiento consistente en condiciones de operación exigentes. Compatible con circuitos de polarización estándar para amplificadores de clase AB.

Características de Diseño: Configuración push-pull con dos transistores en un solo paquete, con bases y colectores separados y emisores comunes. Esta disposición permite operación push-pull en un dispositivo compacto.

Redes de Adaptación: Incluye redes de adaptación de impedancia de entrada integradas para operación de banda ancha. La configuración push-pull reduce armónicos de número par.

Fiabilidad: Sistema de metalización con oro para alta fiabilidad. 100% probado para desadaptación de carga (VSWR = 30:1, todos los ángulos de fase).

Recursos de Diseño: Fotomaster de placa de circuito disponible bajo solicitud contactando a RF Tactical Marketing en Phoenix, AZ.