Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

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Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. - 1

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

ZTX853-ND

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de silicio con 100 VCE
Alta corriente de 4 Amperios
Frecuencia de operación a 130 MHz
Potencia media de 1.2 Watt
Formato compacto TO-92

Especificaciones Técnicas

Transistor Planar de Silicio NPN, 100 Vce, Alta Corriente a 4 Amp, 130 MHz, Potencia Media de 1.2 Watt, TO-92.

Características Técnicas

Tipo: Transistor Planar de Silicio NPN
Tensión Colector-Emisor (Vce): 100 V
Corriente de Colector: 4 A
Frecuencia de Transición: 130 MHz
Potencia Media: 1.2 Watt
Encapsulado: TO-92
Corriente de Pico: Hasta 10 A
Tensión Base-Emisor (Vbe): 830-950 mV (IC=4A, VCE=2V)
Capacitancia de Salida (Cobo): 35 pF (VCB=10V, f=1MHz)
Tiempos de Conmutación: ton=50 ns, toff=1650 ns

Aplicaciones

Amplificadores de audio
Circuitos de conmutación
Drivers de motores
Fuentes de alimentación
Circuitos de control industrial
Circuitos de conmutación de alta corriente
Drivers de lámparas y relés
Reguladores lineales de potencia

Parámetros Eléctricos

Vceo: 100 V
Ic (cont.): 4 A
Ptot: 1.2 W
hFE: 100-300
Vce(sat): 0.5 V típico
Vcbo: 200-300 V (IC=100μA)
Vcer: 200-300 V (IC=1mA, RB≤1kΩ)
Vebo: 6-8 V (IC=100μA)
Icm (pico): 10 A
Iceo: ≤50 nA (VCE=150V, RB≤1kΩ)
Iebo: ≤10 nA (VEB=6V)

Características de Encapsulado

Tipo: TO-92
Terminales: 3
Material: Plástico
Montaje: Through-hole
Temperatura: -55°C a +150°C
Rth(j-amb): 150 °C/W
Rth(j-case): 50 °C/W
Ptotp (práctica): 1.58 W (con PCB de 1 pulg² mínimo)
Tj max: +200 °C

Consideraciones de Diseño

Disipación: Requiere disipador adecuado
Polarización: Configuración NPN estándar
Frecuencia: Adecuado para aplicaciones de audio
Corriente: Manejo de corriente media-alta
Compatibilidad: Sustitución directa para modelos similares
Vce(sat) detallado: 14-50 mV (IC=0.1A, IB=5mA), 100-150 mV (IC=2A, IB=100mA), 160-200 mV (IC=4A, IB=400mA)
Vbe(sat): 960-1100 mV (IC=4A, IB=400mA)
hFE por corriente: 100-300 (IC=10mA), 50-100 (IC=4A), 20-30 (IC=10A)
Medición pulsada: Ancho de pulso=300μs, ciclo de trabajo≤2%

Características Térmicas

Disipación de Potencia

Ptot @ 25°C: 1.2 W
Ptotp (práctica): 1.58 W (montado en PCB con cobre ≥1 pulg²)
Derating: 8 mW/°C sobre 25°C

Resistencias Térmicas

Junction-Ambiente: 150 °C/W
Junction-Case: 50 °C/W
Impedancia térmica transitoria: Curva disponible en datasheet

Documentación

Recursos