Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

Imágenes del Producto

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. - 1

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

MRF475

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
Potencia de salida máxima de 10 Watt

Especificaciones Técnicas

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

Especificaciones Técnicas

Tipo: NPN de Potencia RF
Material: Silicio
Frecuencia: 30 MHz
Tensión Colector-Emisor: 13.6 Vcc
Corriente Colector: 4.0 Amp
Potencia: 10 Watt
Encapsulado: TO-220AB
V_CEO (BV_CEO): 18 V (I_C = 20 mA)
V_CB (BV_CES): 48 V (I_C = 50 mA)
V_EBO (BV_EBO): 4.0 V (I_E = 5.0 mA)
I_CBO: 1.0 mA (V_CB = 25 V)
h_FE: 30-60 (V_CE = 5.0 V, I_C = 500 mA)
C_ob: 125-145 pF (V_CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz)

Características de Aplicación

Frecuencia RF: Hasta 30 MHz
Potencia de Salida: 10W continuos
Corriente Máxima: 4A
Encapsulado: TO-220 para montaje
Compatibilidad: Circuitos de potencia RF
Disipación: Requiere disipador térmico
Ganancia de Potencia (G_ηP): 10-12 dB
Eficiencia Colector (η): 40% (f = 3.0 MHz, V_CC = 13.6 V, I_CQ = 200 mA, P_out = 12 W PEP)
Distorsión de Intermodulación (IMD): -30 dB
Resistencia Térmica (θ_JC): 12.5 °C/W
Rango de Temperatura de Unión: -65 °C a +150 °C

Consideraciones Técnicas

Transistor de potencia RF para aplicaciones de frecuencia media
Tensión de operación máxima: 13.6V entre colector y emisor
Corriente máxima del colector: 4.0 amperios
Potencia de disipación: 10 vatios
Encapsulado TO-220AB para montaje con disipador
Adecuado para amplificadores RF de potencia
Resistencia térmica unión-carcasa: 12.5 °C/W, requiere cálculo térmico preciso
Capacitancia de salida (C_ob): 125-145 pF afecta el diseño de circuitos de sintonización
Ganancia de corriente (h_FE): 30-60 proporciona estabilidad en amplificación lineal
Tensión colector-base máxima: 48V para protección contra transitorios

Aplicaciones Típicas

Amplificadores RF de potencia
Transmisores de baja potencia
Circuitos de conmutación RF
Sistemas de comunicación
Equipos de prueba y medición RF
Circuitos de potencia en frecuencia
Amplificadores FM de gran señal para 13.6V
Etapas de salida en transmisores de 30 MHz
Circuitos donde se requiere baja distorsión de intermodulación (-30 dB)
Aplicaciones que demandan eficiencia de colector del 40%

Consideraciones de Montaje

• Requiere disipador térmico adecuado
• Aislamiento eléctrico del encapsulado
• Consideraciones de impedancia de entrada/salida
• Polarización adecuada para operación lineal
• Pinout: 1 = Base, 2 = Colector, 3 = Emisor (TO-220AB common emitter)
• Tab del encapsulado conectado al colector
• Considerar capacitancia C_ob en diseño de circuitos de sintonización

Parámetros Clave

• Frecuencia máxima: 30 MHz
• V_CEO: 13.6V
• I_C: 4.0A
• P_tot: 10W
• BV_CEO: 18V (I_C = 20 mA)
• BV_CES: 48V (I_C = 50 mA)
• h_FE: 30-60
• θ_JC: 12.5 °C/W

Parámetros de RF

• Ganancia de potencia: 10-12 dB
• Eficiencia colector: 40%
• IMD: -30 dB
• C_ob: 125-145 pF
• Rango temperatura unión: -65°C a +150°C
• Diseñado para 13.6V FM large-signal