Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

Imágenes del Producto

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. - 1

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

MRF475

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa hasta 30 MHz
Tensión colector-emisor 13.6 VCC
Corriente máxima 4.0 Amperios
Potencia salida 10 Watt
Paquete TO-220AB con configuración emisor común

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Transistor NPN de potencia RF de silicio
Frecuencia operativa de hasta 30 MHz
Tensión de colector-emisor de 13.6 VCC
Capacidad de corriente de 4.0 Amperios
Potencia de salida máxima de 10 Watt

Máximos Ratings

I_C: 4.0 A
V_CE: 18 V
V_CB: 48 V
P_D: 10 W @ T_C = 25 °C
T_STG: -65 °C to +150 °C
T_J: -65 °C to +150 °C
θ_J-C: 12.5 °C/W

Características Eléctricas

BV_CEO: 18 V @ I_C = 20 mA
BV_CES: 48 V @ I_C = 50 mA
BV_EBO: 4.0 V @ I_E = 5.0 mA
I_CBO: 1.0 mA @ V_CB = 25 V
h_FE: 30-60 @ V_CE = 5.0 V, I_C = 500 mA
C_ob: 125-145 pF @ V_CB = 13.6 V, f = 1.0 MHz
G_P: 10-12 dB
η: 40% @ P_out = 12 W (PEP), V_CC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, I_CQ = 300 mA
IMD: -30 dB

Configuración Física

Paquete: TO-220AB (Common Emitter)
Conexiones: 1 = BASE, 2 = COLLECTOR, 3 = EMITTER TAB = COLLECTOR