Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E. - 1

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E. - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

2SC2097

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN epitaxial de silicio
Frecuencia máxima de operación 30 MHz
Tensión de colector 13.5 Vcc
Potencia máxima de salida 70 Watt
Encapsulado formato T-40E

Especificaciones Técnicas

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

Características técnicas

Tipo: Transistor NPN de Silicio Epitexial
Frecuencia: 30 MHz
Tensión colector-emisor: 13.5 Vcc
Potencia: 70 Watt
Encapsulado: T-40E
Corriente de colector (I_C): 15 A
Corriente de base (I_B): 3 A
Ganancia de corriente (h_FE): 15-60
Tensión colector-base (V_CBO): 30 V
Tensión emisor-base (V_EBO): 5 V

Aplicaciones

Amplificadores de RF y audio
Circuitos de conmutación de potencia
Sistemas de transmisión
Equipos de comunicaciones
Control de motores y cargas
Amplificadores de potencia de RF clase C
Circuitos de conmutación de alta velocidad
Sistemas de alimentación conmutada

Especificaciones eléctricas

V_CEO: 13.5 V
I_C: Hasta 15 A
P_TOT: 70 W
f_T: 30 MHz
h_FE: 15-60
V_CBO: 30 V (Tensión colector-base)
V_EBO: 5 V (Tensión emisor-base)
I_B: 3 A (Corriente de base máxima)
V_CE(sat): 1.5 V máximo (Tensión saturación colector-emisor)
V_BE(sat): 2.5 V máximo (Tensión saturación base-emisor)

Características mecánicas

Encapsulado: T-40E (TO-220)
Terminales: 3 pines estándar
Disipador: Requiere disipación térmica
Montaje: PCB o disipador
Temperatura: -55°C a +150°C
Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
Peso: Aproximadamente 2.0 g
Material del encapsulado: Plástico epóxico

Consideraciones de diseño

Requiere disipación térmica adecuada
Compatibilidad con circuitos de 12-15V
Adecuado para aplicaciones de potencia media
Estabilidad en frecuencia hasta 30 MHz
Protección contra sobrecarga recomendada
Diseñado para operación en amplificadores clase C
Requiere consideración de voltajes de saturación en diseño de conmutación
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad
Considerar límites de corriente de base en diseño de circuitos de excitación

Información de integración

Transistor de potencia para aplicaciones de RF y audio
Compatibilidad con circuitos de 12-15V DC
Requiere consideraciones térmicas en diseño
Adecuado para amplificadores y conmutadores
Diseñado específicamente para amplificadores de RF clase C
Voltajes de saturación: V_CE(sat) ≤ 1.5V, V_BE(sat) ≤ 2.5V
Corriente de base máxima: 3 A para operación óptima

Compatibilidad

Circuitos de alimentación 12-15V
Amplificadores de RF hasta 30 MHz
Sistemas de audio de potencia media
Control de motores y cargas inductivas
Amplificadores de potencia de RF clase C
Circuitos de conmutación de alta velocidad
Sistemas de alimentación conmutada (SMPS)
Aplicaciones de control de motores de CC