Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

Imágenes del Producto

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. - 1

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. - 2

Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt. - 3

Información Básica

Marca

SYSCOM PARTS

Modelo

RD70HUF2

Garantía

3

Características Principales

Potencia de salida de hasta 84 W
Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
Diodo integrado de protección para la puerta
Diseño para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Frecuencia de operación VHF: 135-175 MHz
Frecuencia de operación UHF: 450-530 MHz

Especificaciones Técnicas

Características principales

Potencia de salida de hasta 84W típicamente
Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete
Diodo integrado de protección para la puerta
Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia

Especificaciones eléctricas

Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.)
Tensión puerta-fuente: -5/+10V
Disipación del canal: 300W
Corriente de drenaje: 20A (máx.)
Temperatura de canal: 175°C
Resistencia térmica: 0.5°C/W

Desempeño RF

Potencia de salida: 84W típico a 175MHz
Eficiencia: 74% típico a 175MHz
Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz
Potencia de salida: 75W típico a 530MHz
Eficiencia: 64% típico a 530MHz
Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz

Frecuencia de operación

Rango VHF: 135-175 MHz
Rango UHF: 450-530 MHz
Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz

Condiciones de prueba

Tensión de prueba: 12.5V
Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado
Impedancia: 50Ω
Tasa de VSWR: 20:1

Compatibilidad

Cumple con RoHS
Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%)
Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura

Aplicaciones

Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
Sistemas de radio móvil VHF/UHF
Equipos de comunicación de banda ancha

Condiciones ambientales

Temperatura de operación: -40°C a 175°C
Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C
Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique)

Características eléctricas típicas

Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA
Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA
Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.)

Configuración del circuito

Paquete de moldeado
Conexión de múltiples electrodos
Diseño para evaluación VHF (135-175MHz)

Composición del paquete

Material: Silicio
Encapsulado: Paquete de molde
Configuración de pines
Cumple con estándares RoHS

Configuración de pines

1. Fuente (común)
2. Drenaje
3. Drenaje
4. Fuente (común)
5. Fuente (común)
6. Puerta
7. Puerta
8. Fuente (común)
9. Fuente (común)

Características de diseño

Diseño para alta eficiencia
Optimizado para VHF/UHF
Conexión de múltiples electrodos
Construcción de bajo ESR

Evaluación y prueba

Evaluación en placa de prueba VHF
Impedancia característica: 50Ω
Material del sustrato: Epoxi de vidrio
Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz
Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz
Documentación: AN-VHF-049

Componentes asociados

Capacitores cerámicos de alta Q
Bobinas de precisión
Resistencias de chip SMD
Capacitores electrolíticos de 220μF