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FET de Potencia RA33H1516M1-325 / Para IC-M506 / Transistor de Efecto de Campo / 325V / 15A / Montaje Superficial
- FET de potencia RA33H1516M1-325 para IC-M506
- Transistor de 325V y 15A para alta potencia
- Montaje superficial (SMD) para integración en PCB
- Rango térmico ampliado (-55°C a +150°C)
- Tecnología RF para etapas de amplificación
- Construcción en silicio con disipación optimizada
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Especificaciones
El FET de Potencia RA33H1516M1-325 es un transistor de efecto de campo de alta potencia diseñado específicamente como componente de repuesto para el equipo de comunicaciones marítimas IC-M506. Este dispositivo semiconductor ofrece excelente rendimiento en aplicaciones de conmutación de potencia, proporcionando alta eficiencia y confiabilidad en sistemas de radio marítima.
Características Principales
- Componente de repuesto específico para equipos IC-M506 de comunicaciones marítimas
- Transistor de efecto de campo (FET) de alta potencia
- Corriente máxima de 15A para manejo de cargas significativas
- Tecnología de montaje superficial para integración en PCB
- Diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia en equipos de radio
- Alta eficiencia y bajo consumo de potencia
- Compatibilidad total con el circuito original del IC-M506
