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Imagen

TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2

  • Transistor FET de alta potencia
  • Voltaje máximo de 850V
  • Corriente continua de 110A
  • Disipación de potencia de 150W
  • Tecnología avanzada de encapsulado TO-247
  • Aplicación en sistemas de conmutación de alta eficiencia
ModeloRD60-HUF1-101
MarcaMITSUBISHI
SAT32101500
1 año de garantía

Especificaciones

Características

  • Producto: TRANSIS.FET P/POT.TKR850V2/8102HKV2
  • Marca: MITSUBISHI
  • Modelo: RD60HUF1101
  • Modo: MEJORAR_BASICO