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Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11

  • Modelo:2N6505
  • Marca:SYSCOM
  • Código SAT:32111600
  • Garantía:3 años con SYSCOM

Especificaciones

Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11

Características técnicas

  • Corriente máxima: 25 Amper
  • Tensión: 100 Volt
  • Potencia: 20 Watt
  • Encapsulado: TO-220AB
  • Aplicación: Fuentes SECOM-11
  • Corriente promedio en estado ON: 16 A (180° conduction angles, TC = 85°C)
  • Corriente de surge no repetitiva: 250 A (1/2 ciclo, onda sinusoidal 60 Hz, TJ = 100°C)
  • Resistencia térmica junction-to-case: 1.5 °C/W

Especificaciones

  • Tipo: SCR (Silicon Controlled Rectifier)
  • Montaje: Through-hole
  • Temperatura operación: -40°C a +125°C
  • Gate trigger current: 30mA típico
  • Holding current: 40mA típico
  • Voltaje forward on-state (VTM): 1.8 V máximo (ITM = 50 A)
  • Gate trigger voltage (VGT): 1.5 V máximo (continuous dc)
  • Gate non-trigger voltage (VGD): 0.2 V mínimo (TJ = 125°C)
  • Turn-on time (tgt): 2.0 µs máximo (ITM = 25 A, IGT = 50 mA dc)
  • Turn-off time (tq): 35 µs máximo (TJ = 125°C)
  • Critical rate of rise of off-state voltage (dv/dt): 50 V/µs mínimo
Aplicaciones principales
  • Fuentes de alimentación reguladas
  • Control de potencia AC
  • Sistemas de protección
  • Control de motores
  • Circuitos de conmutación
  • Half-wave AC control applications
  • Heating controls
  • Power supply crowbar circuits
Ventajas técnicas
  • Alta corriente de carga
  • Bajo voltaje de conducción
  • Robusto encapsulado TO-220
  • Compatibilidad con fuentes SECOM-11
  • Rango amplio de temperatura
  • Glass passivated junctions con center gate fire
  • Thermowatt construction para baja resistencia térmica
  • Parameter uniformity y stability mejorada
  • Alta disipación de calor y durabilidad
Consideraciones de instalación
  • Requiere disipador térmico adecuado
  • Protección contra transitorios recomendada
  • Gate drive apropiado para conmutación
  • Verificar polaridad en instalación
  • Considerar derating por temperatura
  • Maximum lead temperature for soldering: 260°C (1/8' from case for 10 seconds)
  • Peak repetitive off-state voltage: 100 V (VDRM, VRRM)
  • Forward peak gate power: 20 W (pulse width ≤1.0 µs)
  • Forward average gate power: 0.5 W (t = 8.3 ms)
  • Forward peak gate current: 2.0 A (pulse width ≤1.0 µs)

Compatibilidad

  • Fuentes SECOM-11 series
  • Sistemas de control industrial
  • Equipos de potencia media
  • Aplicaciones de conmutación AC

Información de pedido

  • Package: TO-220AB
  • Shipping: 500 unidades por caja
  • Pin assignment: 1-Cathode, 2-Anode, 3-Gate, 4-Anode
  • Device marking: Logo, 2N6505, Date Code