Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11

Imágenes del Producto

Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11 - 1

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

2N6505

Garantía

3

Especificaciones Técnicas

Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11

Características técnicas

Corriente máxima: 25 Amper
Tensión: 100 Volt
Potencia: 20 Watt
Encapsulado: TO-220AB
Aplicación: Fuentes SECOM-11
Corriente promedio en estado ON: 16 A (180° conduction angles, TC = 85°C)
Corriente de surge no repetitiva: 250 A (1/2 ciclo, onda sinusoidal 60 Hz, TJ = 100°C)
Resistencia térmica junction-to-case: 1.5 °C/W

Especificaciones

Tipo: SCR (Silicon Controlled Rectifier)
Montaje: Through-hole
Temperatura operación: -40°C a +125°C
Gate trigger current: 30mA típico
Holding current: 40mA típico
Voltaje forward on-state (VTM): 1.8 V máximo (ITM = 50 A)
Gate trigger voltage (VGT): 1.5 V máximo (continuous dc)
Gate non-trigger voltage (VGD): 0.2 V mínimo (TJ = 125°C)
Turn-on time (tgt): 2.0 µs máximo (ITM = 25 A, IGT = 50 mA dc)
Turn-off time (tq): 35 µs máximo (TJ = 125°C)
Critical rate of rise of off-state voltage (dv/dt): 50 V/µs mínimo

Aplicaciones principales

Fuentes de alimentación reguladas
Control de potencia AC
Sistemas de protección
Control de motores
Circuitos de conmutación
Half-wave AC control applications
Heating controls
Power supply crowbar circuits

Ventajas técnicas

Alta corriente de carga
Bajo voltaje de conducción
Robusto encapsulado TO-220
Compatibilidad con fuentes SECOM-11
Rango amplio de temperatura
Glass passivated junctions con center gate fire
Thermowatt construction para baja resistencia térmica
Parameter uniformity y stability mejorada
Alta disipación de calor y durabilidad

Consideraciones de instalación

Requiere disipador térmico adecuado
Protección contra transitorios recomendada
Gate drive apropiado para conmutación
Verificar polaridad en instalación
Considerar derating por temperatura
Maximum lead temperature for soldering: 260°C (1/8' from case for 10 seconds)
Peak repetitive off-state voltage: 100 V (VDRM, VRRM)
Forward peak gate power: 20 W (pulse width ≤1.0 µs)
Forward average gate power: 0.5 W (t = 8.3 ms)
Forward peak gate current: 2.0 A (pulse width ≤1.0 µs)

Documentación técnica

Compatibilidad

Fuentes SECOM-11 series
Sistemas de control industrial
Equipos de potencia media
Aplicaciones de conmutación AC

Información de pedido

Package: TO-220AB
Shipping: 500 unidades por caja
Pin assignment: 1-Cathode, 2-Anode, 3-Gate, 4-Anode
Device marking: Logo, 2N6505, Date Code