FET P/TK2170/3170

Especificaciones técnicas del FET 3SK294:

• Tipo: MOSFET de alta frecuencia N-channel
• Aplicación: Amplificador VHF/UHF para TV
• Compatibilidad RoHS: Disponible
• Paquete: SOT-343 (USQ), 4 pines, montaje superficial
• Dimensiones: 2.0×2.1×0.95 mm
• Corriente de drenaje máximo (ID): 30 mA
• Disipación de potencia (PD): 0.1 W
• Tensión drenaje-fuente (VDSS): 12.5 V
• Admitancia de transferencia directa (|Yfs|): 23.5 mS (típico)
• Corriente de drenaje (IDSS): 0.1 mA (máximo)

Fuente: Toshiba Semiconductor - Datasheet 3SK294