Redes e ITAlmacenamientoUnidades de Estado Sólido (SSD)
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Unidad de Estado Sólido (SSD) 512 GB / ALTO RENDIMIENTO / Hasta 7100B/s / M.2 NVMe / Para Gaming y PC Trabajo Pesado

  • Capacidad de 512 GB para amplio almacenamiento
  • Velocidad de escritura de 6610 MB/s altamente eficiente
  • Interfaz PCIe Gen 4 x4 para máxima compatibilidad
  • Factor de forma M.2 compacto y ligero
  • Velocidad de lectura de 7100 MB/s increíblemente rápida
  • Modelo:HS-SSD-FUTURE-LITE/512G
  • Marca:HIKSEMI by HIKVISION
  • Código SAT:43202005
  • Código SAP:311512067
  • Garantía:5 años con SYSCOM

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Especificaciones

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Especificaciones

Características Principales
  • Capacidad: 512 GB
  • Velocidad de Lectura: 7000 MB/s
  • Velocidad de Escritura: 6610 MB/s
  • Consumo Máximo: 6.7W
  • Interfaz: PCIe Gen 4 x 4
  • MTBF: 2,000,000 hours
  • Temperatura de Operación: -40°C to 85°C (-40 °F to +185°F)
  • Factor de forma: M.2 / PCIe Gen 3 x 4 / NVMe
  • Tamaño: 80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm
  • Peso: ≤ 7 gramos
  • TBW (Total Bytes Written): 750 TB
  • IOPS 4K Lectura Aleatoria: 915K
  • IOPS 4K Escritura Aleatoria: 462K
  • Temperatura de Trabajo: 0°C to 70°C (32°F to 158°F)
  • Garantía: 5 años
  • Medio de Almacenamiento: 3D NAND Flash
  • Factor de Forma Específico: M.2 2280

¿Quién es HIKSEMI?

Unidades de Estado Sólido

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FUTURE

SSD PCIe 4.0 NVMe M.2

Alta Velocidad

Alta Velocidad

El SSD M.2 FUTURE LITE de Hiksemi ofrece velocidad de lectura de 7100MB/s, proporcionando rendimiento optimizado para aplicaciones exigentes de almacenamiento. Con IOPS de lectura aleatoria 4K de 915K y escritura aleatoria 4K de 462K, garantiza un rendimiento consistente en operaciones de acceso aleatorio.

Innovación en el Almacenamiento

Los SSD M.2 FUTURE LITE incorporan tecnología avanzada con capacidades de hasta 4TB, ofreciendo una solución de almacenamiento funcional y eficiente para entornos profesionales. Utilizan tecnología 3D NAND Flash con controlador avanzado y software de gestión desarrollado por HIKSEMI, asegurando estabilidad y seguridad de datos con TBW de 750TB para la versión de 512GB.

Innovación en el Almacenamiento
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Menor consumo de energía, disipación térmica avanzada

Características Técnicas Adicionales

Especificaciones de Rendimiento
  • Resistencia a golpes y caídas: Sin estructura mecánica, control por chip electrónico
  • Aplicaciones compatibles: Computadoras personales, laptops, PS5
  • Tecnología de memoria: 3D NAND con parches BGA de alta calidad
  • Producción: Líneas automatizadas con estándares estrictos de prueba
  • Capacidad sin formato: 1GB = 1,000,000,000 bytes
  • Compatibilidad: PCIe Gen 4 x 4 con interfaz NVMe
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