Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4
- Dos elementos eléctricamente independientes
- Baja capacitancia de 1.2 pF a 6V
- Resistencia dinámica de 0.65Ω a 100MHz
- Voltaje inverso máximo de 35V
- Corriente directa de 100mA individual
- Paquete SMD TO-253-4 mini4-G1
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Especificaciones
Características Principales
- Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
- Capacitancia pequeña en diodos
- Baja resistencia dinámica hacia adelante
- Óptimos para un cambio de banda del sintonizador
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje inverso: 35 V
- Corriente directa: 100 mA (individual), 75 mA (doble)
- Temperatura operación: -25 a +85 °C
- Temperatura almacenamiento: -55 a +100 °C
Especificaciones Eléctricas Detalladas
- Voltaje directo: 1.0 V (a 100 mA)
- Corriente inversa: 100 nA (a 33 V)
- Capacitancia diodo: 1.2 pF (a 6 V, 1 MHz)
- Resistencia dinámica directa: 0.65 Ω (a 2 mA, 100 MHz)
- Resistencia dinámica directa: 0.98 Ω (a 2 mA, medición alternativa)
Características Físicas
- Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
- Marca: SYSCOM
- Modelo: MA4X86200LCTND
- Conformidad: RoHS Directive (EU 2002/95/EC)
Descripción Técnica
Diodos de conmutación de silicio epitáxico planar tipo MA4X862 (MA862), diseñados específicamente para aplicaciones de cambio de banda en sintonizadores. El paquete Mini4-G1 (TO-253-4) contiene dos elementos eléctricamente independientes, permitiendo configuraciones duales en un solo componente. Con una capacitancia diodo de 1.2 pF a 6V y baja resistencia dinámica hacia adelante (0.65 Ω a 2 mA, 100 MHz), estos diodos ofrecen un rendimiento estable en aplicaciones de RF.
La construcción de silicio epitáxico planar proporciona una alta confiabilidad y estabilidad térmica, con una temperatura operativa de -25 a +85 °C. La baja capacitancia y resistencia dinámica permiten una conmutación rápida y eficiente, ideal para circuitos de selección de banda en equipos de comunicación y medición.
