Dos Diodos de Switcheo de Silicio, Eléctricamente Independientes, de 35 Volt, 100 mA, SMD TO-253-4
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
MA4X86200LCT-ND
Garantía
3
Características Principales
- Óptimos para un cambio de banda del sintonizador.
- Dos elementos eléctricamente independientes.
Especificaciones Técnicas
Dos Diodos Individuales de Switcheo, 35V, 100mA, SMD TO-253-4
Características técnicas
- Dos elementos eléctricamente independientes incorporados
- Capacitancia pequeña en diodos
- Baja resistencia dinámica hacia adelante
- Óptimos para un cambio de banda del sintonizador
- Voltaje inverso: 35 V
- Corriente en directo: 100 mA
- Temperatura ambiente de funcionamiento: -25 a +85 °C
- Paquete: Mini4-G1 (TO-253-4)
- Tipo de construcción: Silicio epitaxial planar
- Corriente de pico (surge) especificada para condiciones transitorias
- Corriente en doble diodo: 75 mA por cada elemento
- Corriente inversa máxima: 100 nA a V_R = 33 V
- Capacitancia dieléctrica: 0.9 pF típica a V_R = 6 V, f = 1 MHz
- Resistencia dinámica hacia adelante: 1.0 Ω típica a I_F = 2 mA, f = 100 MHz
Aplicaciones técnicas
Cambio de banda en sintonizadores
Óptimos para aplicaciones de conmutación en sistemas de sintonización, especialmente en conmutadores de banda de sintonizadores
Circuitos de conmutación
Adecuados para aplicaciones que requieren elementos independientes en circuitos de conmutación de RF
Aplicaciones de RF
Características optimizadas para operación en frecuencias de RF con baja capacitancia y resistencia dinámica
Información adicional técnica
- Métodos de medición: Basados en estándar JIS C 7031 para métodos de medición de diodos
- Frecuencia de medición: 100 MHz absoluta para entrada y salida
- Instrumentación de prueba: TDC-121A para medición de corriente, YHP 4191A RF Impedance Analyzer para medición de impedancia
- Pinout: 1: Cátodo 1, 2: Cátodo 2, 3: Ánodo 2, 4: Ánodo 1
- Características de corriente de pico: Especificaciones disponibles para condiciones transitorias de pulso