Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
- Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
- Canal N para control preciso del flujo eléctrico
- Banda de frecuencia máxima de 105 MHz
- Encapsulado TO-18 compacto y robusto
- Excelente aislamiento con tecnología de interfaz avanzada
- Modelo:MFE130
- Marca:SYSCOM
- Código SAT:32111607
- Garantía:3 años con SYSCOM
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Especificaciones
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
Características técnicas
- Tipo: MOSFET Doble Puerta
- Canal: N
- Frecuencia: 105 MHz
- Encapsulado: TO-18
- Tensión puerta-fuente (VGS): ±8V
- Corriente de fuga puerta (IGSS): 10nA
- Capacitancia puerta-fuente (Ciss): 6.0 pF
- Capacitancia puerta-drenaje (Crss): 1.8 pF
Aplicaciones
- Circuitos de RF y VHF
- Amplificadores de frecuencia intermedia
- Sistemas de comunicación
- Circuitos de mezcla y modulación
- Amplificadores de ganancia controlada por voltaje (VGA)
- Mezcladores balanceados de RF
- Circuitos de conmutación de RF
- Osciladores controlados por voltaje (VCO)
Consideraciones de diseño
El transistor MOSFET MFE-130 de doble puerta ofrece flexibilidad en circuitos de RF, permitiendo control independiente de las puertas para aplicaciones como mezcladores, amplificadores de ganancia controlada y circuitos de modulación.
Su encapsulado TO-18 proporciona robustez mecánica y buen aislamiento térmico, adecuado para aplicaciones industriales y de comunicaciones donde la fiabilidad es crítica.
La configuración de doble puerta permite implementar circuitos de ganancia controlada por voltaje (VGA), atenuadores controlados y mezcladores balanceados con excelente aislamiento entre puertas.
Configuración de pines: Pin 1 - Puerta 1 (G1), Pin 2 - Fuente (S), Pin 3 - Puerta 2 (G2), Pin 4 - Drenaje (D). La carcasa metálica está conectada al sustrato y debe ser conectada a tierra para optimizar el rendimiento de RF.
Consideraciones térmicas: La disipación de potencia máxima de 300mW se especifica a 25°C ambiente. Para temperaturas ambiente más altas, se debe aplicar un factor de reducción de 2.4mW/°C. El transistor requiere un disipador térmico adecuado para aplicaciones de alta potencia.
Características de doble puerta: El aislamiento entre puertas de 40 dB a 100 MHz permite aplicaciones de mezclador donde una puerta puede usarse como entrada de RF y la otra como entrada de oscilador local, minimizando la intermodulación no deseada.
