Circuito Integrado, Multiplexor Triple de Doble Canal Análogo.

Características Técnicas

• Arquitectura: Multiplexor triple de doble canal
• Tipo: Circuito integrado analógico
• Aplicación: Sistemas de multiplexación de señales analógicas
• Compatibilidad: Integración con sistemas de control y monitoreo
• Tecnología: CMOS con conversión de nivel lógico
• Rango de señal: Señales analógicas hasta 20V pico-pico
• Rango digital: Señales de control de 3V a 20V
• Decodificación: Decodificación binaria de dirección en chip

Especificaciones

• Canales: Triple configuración de doble canal
• Señal: Procesamiento analógico de precisión
• Integración: Compatible con sistemas embebidos
• Fiabilidad: Diseño para aplicaciones industriales
• Resistencia ON: 125Ω típico a 15V (VDD-VEE=18V)
• Resistencia OFF: Alta resistencia con fuga de canal de ±100pA típico
• Consumo estático: 0.2μW típico a VDD-VSS=VDD-VEE=10V
• Conmutación: Break-before-make elimina superposición de canales

Este multiplexor triple de doble canal analógico está diseñado para aplicaciones que requieren procesamiento preciso de señales analógicas múltiples. Su arquitectura permite la integración eficiente en sistemas de control, adquisición de datos y monitoreo.

Para instaladores técnicos, se recomienda considerar los requisitos de interfaz de señal, condiciones de operación ambiental y compatibilidad con el sistema host durante la fase de diseño de integración.

Características eléctricas clave: Resistencia ON de 125Ω típico a 15V, fuga de canal OFF de ±100pA típico, consumo quiescente de 0.2μW típico. El dispositivo incluye decodificación binaria de dirección en chip y conmutación break-before-make para eliminar superposición de canales.

Rangos operativos: Señales analógicas hasta 20V pico-pico, señales de control digital de 3V a 20V. Compatible con tensiones de alimentación simétricas y asimétricas. Diseñado para operación en rango industrial completo de -55°C a 125°C.

Consideraciones de diseño: Atención especial a layout de PCB para minimizar capacitancias parásitas. Considerar resistencia térmica según empaquetado (67-108°C/W). Implementar prácticas de manejo ESD adecuadas dado rating de 2500V HBM.