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Transistor NPN, SMD SOT-23, LOW NOISE.

  • Transistor NPN de bajo ruido
  • Encapsulado SMD SOT-23 compacto
  • Frecuencia de operación hasta 100 MHz
  • Ganancia de corriente (hFE) alta
  • Voltaje colector-emisor máximo de 30V
  • Corriente colectora máxima de 100mA
ModeloMMBR951
MarcaSYSCOM
SAT32111600
3 años de garantía

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Especificaciones

Características Generales

  • Transistor NPN de montaje superficial
  • Encapsulado SOT-23
  • Baja distorsión y bajo ruido
  • Aplicaciones en etapas de preamplificación
  • Frecuencia de transición: 100 MHz
  • Ganancia de corriente (hFE): 300 a 800
  • Tensión colector-emisor (VCEO): 30V
  • Corriente colector (IC): 100mA
  • Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Especificaciones Eléctricas
  • Tensión Colector-Emisor (VCEO): 30V
  • Tensión Base-Emisor (VBEO): 5V
  • Corriente Colector (IC): 100mA
  • Corriente Base (IB): 50mA
  • Potencia Disipación (PD): 300mW
  • Frecuencia de Transición (fT): 100MHz
  • Ganancia de Corriente (hFE): 300-800
Especificaciones Físicas
  • Encapsulado: SOT-23
  • Material de Terminales: Estaño
  • Resistencia Térmica (Junction-Ambient): 417°C/W
  • Temperatura de Almacenamiento: -55°C a +150°C
  • Temperatura de Operación: -55°C a +150°C
Aplicaciones
  • Preamplificadores de audio
  • Amplificadores de bajo ruido
  • Circuitos de conmutación
  • Etapa de entrada en amplificadores operacionales

Información Adicional

  • Equivalente: 2N3904, BC547
  • Marca: SYSCOM
  • Modelo: MMBR951
  • Tipo: Transistor NPN
  • Montaje: Superficial (SMD)
  • Encapsulado: SOT-23
  • Característica: Bajo ruido