Transistor NPN de montaje superficial diseñado para aplicaciones que demandan bajo ruido y alta fidelidad en etapas de preamplificación. Su encapsulado SOT-23 ofrece una solución compacta para circuitos integrados modernos donde el espacio es crítico. La combinación de alta ganancia de corriente, baja distorsión y frecuencia de transición de 100 MHz lo hace versátil para señales de audio, RF y comunicaciones. Opera de manera confiable en un amplio rango térmico que abarca desde ambientes extremadamente fríos hasta condiciones de alta temperatura industrial.
Características Principales
- Transistor NPN de bajo ruido para preamplificación de alta fidelidad
- Encapsulado SMD SOT-23 compacto para montaje superficial automatizado
- Baja distorsión optimizada para etapas de audio y comunicaciones
- Alta ganancia de corriente (hFE) de 300 a 800 para amplificación eficiente
- Frecuencia de transición de 100 MHz para aplicaciones de RF
- Rango de temperatura de operación: -55°C a +150°C
Especificaciones Eléctricas
Tensión Colector-Emisor (VCEO)
30V
Tensión Base-Emisor (VBEO)
5V
Corriente de Colector (IC)
100mA
Corriente de Base (IB)
50mA
Potencia de Disipación (PD)
300mW
Frecuencia de Transición (fT)
100MHz
Ganancia de Corriente (hFE)
300 - 800
Especificaciones Físicas y Térmicas
Material de Terminales
Estaño
Resistencia Térmica (Junction-Ambient)
417°C/W
Temperatura de Operación y Almacenamiento
-55°C a +150°C