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Transistor NPN, SMD SOT-23, LOW NOISE.
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
MMBR951
Garantía
3
Características Principales
Transistor NPN de bajo ruido
Encapsulado SMD SOT-23 compacto
Frecuencia de operación hasta 100 MHz
Ganancia de corriente (hFE) alta
Voltaje colector-emisor máximo de 30V
Corriente colectora máxima de 100mA
Especificaciones Técnicas
Características Generales
Transistor NPN de montaje superficial
Encapsulado SOT-23
Baja distorsión y bajo ruido
Aplicaciones en etapas de preamplificación
Frecuencia de transición: 100 MHz
Ganancia de corriente (hFE): 300 a 800
Tensión colector-emisor (VCEO): 30V
Corriente colector (IC): 100mA
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Especificaciones Eléctricas
Tensión Colector-Emisor (VCEO):
30V
Tensión Base-Emisor (VBEO):
5V
Corriente Colector (IC):
100mA
Corriente Base (IB):
50mA
Potencia Disipación (PD):
300mW
Frecuencia de Transición (fT):
100MHz
Ganancia de Corriente (hFE):
300-800
Especificaciones Físicas
Encapsulado:
SOT-23
Material de Terminales:
Estaño
Resistencia Térmica (Junction-Ambient):
417°C/W
Temperatura de Almacenamiento:
-55°C a +150°C
Temperatura de Operación:
-55°C a +150°C
Aplicaciones
Preamplificadores de audio
Amplificadores de bajo ruido
Circuitos de conmutación
Etapa de entrada en amplificadores operacionales
Información Adicional
Equivalente:
2N3904, BC547
Marca:
SYSCOM
Modelo:
MMBR951
Tipo:
Transistor NPN
Montaje:
Superficial (SMD)
Encapsulado:
SOT-23
Característica:
Bajo ruido