Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.

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Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC. - 1

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC. - 2

Información Básica

Marca

TPL COMMUNICATIONS

Modelo

MRF-1550-FNT1

Garantía

3

Especificaciones Técnicas

Transistor Dual Q1 (B2-189) para Amplificador TPL PA31AC.

Características Técnicas

Producto: Transistor Dual Q1 (B2-189)
Aplicación: Amplificador TPL PA31AC
Marca: TPL Communications
Modelo: MRF1550FNT1
Tecnología: N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Rango de Frecuencia: Hasta 175 MHz (broadband 135-175 MHz)
Voltaje de Operación: 12.5 Vdc
Potencia de Salida: 50 Watts @ 175 MHz
Ganancia de Potencia: 14.5 dB @ 175 MHz
Eficiencia: 55% @ 175 MHz

Especificaciones

Tipo: Transistor Dual
Referencia: Q1 (B2-189)
Compatibilidad: Amplificador PA31AC
Paquete: TO-272-6, CASE 1264A-03, STYLE 1
Terminaciones: Lead-Free, RoHS Compliant
Embalaje: Tape and Reel (500 unidades por reel de 44 mm)
Capacidad Térmica: 200°C Junction Temperature
Resistencia Térmica: 0.75°C/W (Junction to Case)
Disipación Máxima: 165 W @ TC = 25°C

Aplicación

Equipo: Amplificador TPL PA31AC
Posición: Transistor Dual Q1
Referencia: B2-189
Frecuencia: 135-175 MHz (broadband)
Configuración: Common-Source Amplifier
Bias: IDQ = 500 mA (sugerido)

Componente

Modelo: MRF1550FNT1
Tipo: Transistor
Configuración: Dual
Voltaje Drain-Source: VDSS -0.5, +40 Vdc
Voltaje Gate-Source: VGS ±20 Vdc
Corriente Drain: 12 Adc (continua)

Características Eléctricas

Gate Threshold Voltage: VGS(th) 1-3 Vdc
Drain-Source On-Voltage: RDS(on) ≤ 0.5 Ω
Input Capacitance: Ciss ≤ 500 pF
Output Capacitance: Coss ≤ 250 pF
Reverse Transfer Capacitance: Crss ≤ 35 pF
Zero Gate Voltage Drain Current: IDSS ≤ 1 μAdc

Información

Producto: Transistor Dual Q1 (B2-189)
Para: Amplificador TPL PA31AC
Marca: TPL Communications
Modelo: MRF1550FNT1
Fabricante: Freescale Semiconductor
Documento Técnico: MRF1550N Rev. 15, 6/2009
Aplicaciones: Mobile FM equipment 12.5V, broadband commercial/industrial
Capacidad VSWR: 20:1 @ 15.6 Vdc, 175 MHz, 2 dB Overdrive

Consideraciones de Diseño

Estabilidad Térmica: Excelente
Impedancias: Caracterizadas con parámetros de impedancia equivalente en serie
Broadband: Full power across 135-175 MHz band
MSL: Nivel 3 (260°C peak temperature)
Gate Protection: Requiere diodo zener externo (no tiene protección interna)
Bias: Circuito simple de divisor resistivo recomendado