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Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD
Imágenes del Producto
Información Básica
Modelo
156-000-1061
Garantía
3
Características Principales
Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
Frecuencia de operación hasta 8 GHz
Bajo ruido y alta linealidad
Encapsulado SMD para montaje superficial
Compatibilidad con estándares industriales ICV8000