MOSFET de potencia / Canal N / 50 A / 60 V / TO-220AB / Proceso MegaFET
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
50-N-06
Garantía
3
Características Principales
- Tecnología MegaFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso LSI
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Ideal para reguladores y convertidores de conmutación
- Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
Especificaciones Técnicas
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI para ofrecer una utilización óptima del silicio y un rendimiento excepcional. Estos transistores están diseñados para su uso en reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Su capacidad de operación directa desde circuitos integrados simplifica el diseño de circuitos y reduce la complejidad del sistema.
Características principales
- Tecnología MegaFET para rendimiento superior
- Optimización del silicio con proceso similar a LSI
- Diseñado para reguladores y convertidores de conmutación
- Compatible con controladores de motores y relés
- Operación directa desde circuitos integrados
- Encapsulado TO-220AB estándar de la industria
Especificaciones técnicas
Tipo de canal
N
Corriente de drenaje
50 A
Voltaje drenaje-fuente
60 V
Encapsulado
TO-220AB
Tecnología de fabricación
MegaFET / Proceso LSI
Aplicaciones típicas
- Reguladores de conmutación (SMPS)
- Convertidores DC-DC
- Controladores de motores
- Controladores de relés
- Circuitos de conmutación de potencia