Transistor NPN de Silicón SD1477, 175 MHz, 12.5 Vcc, 100 Watt.
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
TPL COMMUNICATIONS
Modelo
B2-160
Garantía
3
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 vatios
- Voltaje de colector de 12.5 VCC
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
Especificaciones Técnicas
Transistor NPN de Silicón SD1477, 175 MHz, 12.5 Vcc, 100 Watt.
Características técnicas
- Tipo: Transistor NPN de Silicón
- Modelo: SD1477
- Frecuencia: 175 MHz
- Tensión colector-emisor: 12.5 Vcc
- Potencia: 100 Watt
- Ganancia de potencia (GP): 6.0 dB mínimo @ 175 MHz, 25W entrada
- Corriente máxima del dispositivo: 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
- Tensión colector-base (BVCBO): 36 V
- Tensión colector-emisor (BVCEO): 18 V
- Tensión emisor-base (BVEBO): 4.0 V
Información del producto
- Marca: TPL COMMUNICATIONS
- Modelo comercial: B2160
- Diseño: Transistor NPN planar epitaxial de silicio Clase C
- Aplicación principal: Comunicaciones FM VHF
- Banda de frecuencia: 136 - 175 MHz
- Configuración: Emisor común
- Encapsulado: SD1477 epoxysealed
- Resistencia térmica juntura-carcasa: 0.65 °C/W
- Temperatura máxima de juntura: +200 °C
Notas técnicas
- • Transistor NPN de silicio para aplicaciones de RF
- • Frecuencia de operación: 175 MHz
- • Tensión colector-emisor: 12.5 Vcc
- • Potencia de salida: 100 Watt
- • Diseño epitaxial planar con resistores de emisor difundidos
- • Optimizado para banda VHF 136-175 MHz
- • Configuración emisor común para aplicaciones móviles VHF
Información de integración
- • Modelo comercial: B2160
- • Fabricante: TPL COMMUNICATIONS
- • Referencia técnica: SD1477
- • Conexión de pines: 1-Colector, 2-Base, 3-Emisor, 4-Emisor
- • Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C
- • Requiere circuitos de prueba específicos para aplicaciones RF