Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt.

Imágenes del Producto

Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt. - 1

Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt. - 2

Transistor Bipolar NPN SD1275-01, 160 MHz, 13.6 Vcc, 40 Watt. - 3

Información Básica

Marca

TPL COMMUNICATIONS

Modelo

B2-223

Garantía

3

Características Principales

Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
Potencia de salida de 40 Watt
Operación a 13.6 VCC estable
Diseño compacto y eficiente térmicamente
Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas
Impedancia Zin 1.0 + j0.4 a 160 MHz

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Transistor bipolar NPN de alta frecuencia 160 MHz
Potencia de salida de 40 Watt
Operación a 13.6 VCC estable
Diseño compacto y eficiente térmicamente
Rendimiento confiable en aplicaciones RF avanzadas

Especificaciones Básicas

Tipo: Transistor bipolar NPN
Frecuencia: 160 MHz
Tensión de alimentación: 13.6 VCC
Configuración: Emisor común
Aplicación: Comunicaciones VHF

Límites Máximos

VCBO: 36 V
VCEO: 16 V
VCES: 36 V
VEBO: 4.0 V
IC: 8.0 A
PDISS: 70 W
TJ: +200 °C
TSTG: -65 a +150 °C

Especificaciones Dinámicas

POUT: 40 W (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
GP: 9 dB (f=160 MHz, PIN=5.0 W, VCE=13.6 V)
COB: 95 pF (f=1 MHz, VCB=15 V)

Especificaciones Estáticas

BVCES: 36 V (IC=15 mA, VBE=0 mA)
BVCEO: 16 V (IC=50 mA, IB=0 mA)
BVEBO: 4.0 V (IE=5 mA, IC=0 mA)
ICBO: 5 mA (VCB=15 V, IE=0 mA)
hFE: 20 (VCE=5 V, IC=250 mA)

Datos Térmicos

RTH(j-c): 1.2 °C/W

Datos de Impedancia

ZIN (Ω): 1.0 + j 0.4 (160 MHz)
ZCL (Ω): 2.3 + j 0.1 (160 MHz)

Nota: PIN = 3.0 W; VCE = 12.5 V

Conexiones

1: Colector
2: Emisor
3: Base
4: Emisor

Dimensiones Mecánicas (M113)

A: 5.59-5.84 mm (0.220-0.230')
B: 19.94 mm (0.785')
C: 18.29-18.54 mm (0.720-0.730')
D: 24.64-24.89 mm (0.970-0.980')
E: 9.78 mm (0.385')

Dimensiones Mecánicas (M113) Cont.

F: 0.10-0.15 mm (0.004-0.006')
G: 2.16-2.67 mm (0.085-0.105')
H: 4.06-4.57 mm (0.160-0.180')
I: 7.11 mm (0.280')
J: 6.10-6.48 mm (0.240-0.255')

Rendimiento Típico

Diseño con geometría de emisor amortiguado para soportar condiciones extremas de desadaptación de carga
Características eléctricas especificadas a 25°C
Paquete plástico encapsulado con epoxi
Frecuencia de operación: hasta 160 MHz
Tensión de colector-emisor: 16 V (máx.)

Aplicaciones

Sistemas de comunicación VHF
Amplificadores de potencia RF
Equipos de radio móvil
Transmisores de alta frecuencia
Sistemas de comunicación de alta confiabilidad

Información de Pedido

Código de pedido: SD1275-01
Marcaje: SD1275-1
Paquete: M113
Embalaje: Bandejas plásticas

Datos Adicionales

Revisión: 2
Fecha de revisión: Mayo 2004
Tipo de transistor: Silicio epitaxial
Clase de operación: Clase C