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Diodo Shottky 40V 3A, SMD, TO-252

Imágenes del Producto

Diodo Shottky 40V 3A, SMD, TO-252 - 1
Diodo Shottky 40V 3A, SMD, TO-252 - 2

Información Básica

Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
MBRD340GO5ND
Garantía
3

Características Principales

  • Conmutación ultra rápida y caída extremadamente baja
  • Barrera de platino con protecciones de avalancha
  • Calificado AEC-Q101 y apto para PPAP
  • Libre de Pb, halógenos y conforme RoHS
  • Peso ligero de 0,4 gramos aproximadamente

Especificaciones Técnicas

Estos dispositivos de última generación están diseñados para su uso como rectificadores de salida, diodos de rueda libre, de protección y de dirección en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y otros circuitos de conmutación inductiva.

Características técnicas

  • Conmutación extremadamente rápida
  • Caída extremadamente baja
  • Barrera de platino con protecciones de avalancha
  • Prefijos NRVBD y SBRD para automoción y otras aplicaciones que requieren requisitos de cambio de control y emplazamiento únicos; Cualificado AEC-Q101 y apto para PPAP
  • Estos dispositivos no contienen Pb, halógenos ni BFR y cumplen la directiva RoHS

Especificaciones

  • Carcasa: Epoxi, moldeada Case 369C
  • Peso: 0,4 gramos (aproximadamente)
  • Acabado: Todas las Superficies Externas Resistentes a la Corrosión y los Cables Terminales son Fácilmente Soldables
  • Temperatura del Cable y de la Superficie de Montaje para Propósitos de Soldadura; 260°C Máx. por 10 Segundos
  • Clasificaciones ESD: ♦ Modelo de Máquina = C ♦ Modelo de Cuerpo Humano = 3B

Especificaciones eléctricas

  • Voltaje de bloqueo DC: 40V
  • Voltaje de pico repetitivo inverso (VRRM): 40V
  • Corriente rectificada promedio (IF(AV)) a TC = +125°C: 3A
  • Corriente de pico repetitivo directo (IFRM) a TC = +125°C, onda cuadrada, duty cycle = 0.5: 6A
  • Corriente de sobrecarga no repetitiva (IFSM): 75A (media onda, monofásico, 60Hz)
  • Corriente de pico repetitivo inverso (IRRM): 1A (2μs, 1kHz)
  • Rango de temperatura de operación de la unión (TJ): -65°C a +175°C
  • Tasa de cambio de voltaje (dv/dt): 10,000 V/μs
  • Resistencia térmica unión-carcasa (RθJC): 6°C/W
  • Resistencia térmica unión-ambiente (RθJA): 80°C/W (montado en superficie con tamaño mínimo de pad recomendado)

Características eléctricas detalladas

  • Voltaje directo instantáneo máximo (VF):
    • iF = 3A, TC = +25°C: 0.6V
    • iF = 3A, TC = +125°C: 0.45V
    • iF = 6A, TC = +25°C: 0.7V
    • iF = 6A, TC = +125°C: 0.625V
  • Corriente inversa instantánea máxima (iR):
    • Voltaje DC nominal, TC = +25°C: 0.2mA
    • Voltaje DC nominal, TC = +125°C: 20mA
  • Nota: Prueba de pulso: Ancho de pulso = 300μs, Duty Cycle ≤ 2.0%

Información de pedido

  • Dispositivo: MBRD340T4G
  • Paquete: DPAK (Pb-Free)
  • Embalaje: 2,500 unidades en Tape & Reel
  • Nota: Algunas variantes del dispositivo han sido descontinuadas. Consulte la tabla completa en la página 3 del data sheet para información actualizada.
SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 27 de enero de 2026
ID Producto: 69801