TRANSISTOR FET P/TM733A

Imágenes del Producto

Información Básica

Características Principales

• Transistor FET canal P de alta precisión
• Diseñado para aplicaciones de bajo ruido
• Corriente de drenaje máxima de 20mA
• Tensión de umbral de -0.8V a -2.0V
• Encapsulado TO-92 compatible con montaje superficial
• Amplio rango de temperatura operativa -55°C a +150°C

Especificaciones Técnicas