
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .
Imágenes del Producto

Información Básica
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta potencia
- Voltaje de colector a base hasta 500 V
- Corriente máxima de 15 A
- Capacidad de disipación hasta 80 Watt
- Empaque TO-3PN para alta confiabilidad
Especificaciones Técnicas
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM
Descripción técnica
- Alto voltaje y alta velocidad de conmutación
- Empaque TO-3PN
- Alta confiabilidad operativa
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V con base abierta
- Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V con colector abierto
- Corriente base máxima: 5 A
Aplicaciones técnicas
- Reguladores de switcheo
- Generadores ultrasónicos
- Inversores de alta frecuencia
- Amplificadores de potencia de uso general
Contexto de aplicación
Reguladores de switcheo
Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta potencia y regulación de voltaje. Los tiempos de conmutación rápidos (ton=0.5µs, tf=0.15µs) permiten operación eficiente en frecuencias elevadas.
Generadores ultrasónicos
Para sistemas de ultrasonido industrial y aplicaciones de limpieza por ultrasonido. La alta velocidad de conmutación y capacidad de corriente de 15A soportan oscilaciones de alta frecuencia.
Inversores de alta frecuencia
Para convertidores DC-AC en aplicaciones de potencia y sistemas de energía. El voltaje colector-emisor de 400V y resistencia térmica de 1.56°C/W permiten manejo eficiente de potencia.
Amplificadores de potencia
Para etapas de salida en amplificadores de audio y RF de uso general. La ganancia de corriente de 10 y baja saturación VCE (1.0V) optimizan eficiencia en aplicaciones lineales.