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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .

Imágenes del Producto

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM . - 1

Información Básica

Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
2SC-3320
Garantía
3

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje de colector a base hasta 500 V
  • Corriente máxima de 15 A
  • Capacidad de disipación hasta 80 Watt
  • Empaque TO-3PN para alta confiabilidad

Especificaciones Técnicas

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM

Descripción técnica

  • Alto voltaje y alta velocidad de conmutación
  • Empaque TO-3PN
  • Alta confiabilidad operativa
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V con base abierta
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V con colector abierto
  • Corriente base máxima: 5 A

Aplicaciones técnicas

  • Reguladores de switcheo
  • Generadores ultrasónicos
  • Inversores de alta frecuencia
  • Amplificadores de potencia de uso general
Características eléctricas
  • Tipo: NPN
  • Voltaje colector-base: 500 V
  • Voltaje colector-emisor: 400 V (VCEO)
  • Voltaje emisor-base: 7 V (VEBO)
  • Corriente colector: 15 A
  • Corriente base: 5 A
  • Potencia disipada: 80 W
  • Ganancia de corriente DC (hFE): 10 (IC=6A, VCE=5V)
  • Voltaje saturación C-E: 1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • Voltaje saturación B-E: 1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
  • Corriente corte colector: 1.0 mA (VCB=500V)
  • Corriente corte emisor: 1.0 mA (VEB=7V)
Características mecánicas
  • Empaque: TO-3PM
  • Terminales: 3 pines
  • Montaje: Chasis/disipador
  • Pinout: 1=Base, 2=Colector (conectado a base de montaje), 3=Emisor
Características térmicas y temporales
  • Resistencia térmica juntura-carcasa: 1.56 °C/W
  • Temperatura máxima de juntura: 150 °C
  • Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 °C
  • Tiempo de encendido (ton): 0.5 µs
  • Tiempo de almacenamiento (ts): 1.5 µs
  • Tiempo de caída (tf): 0.15 µs
  • Condiciones de conmutación: IC=7.5A, IB1=1.5A, IB2=-3A, RL=20Ω

Contexto de aplicación

Reguladores de switcheo

Adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta potencia y regulación de voltaje. Los tiempos de conmutación rápidos (ton=0.5µs, tf=0.15µs) permiten operación eficiente en frecuencias elevadas.

Generadores ultrasónicos

Para sistemas de ultrasonido industrial y aplicaciones de limpieza por ultrasonido. La alta velocidad de conmutación y capacidad de corriente de 15A soportan oscilaciones de alta frecuencia.

Inversores de alta frecuencia

Para convertidores DC-AC en aplicaciones de potencia y sistemas de energía. El voltaje colector-emisor de 400V y resistencia térmica de 1.56°C/W permiten manejo eficiente de potencia.

Amplificadores de potencia

Para etapas de salida en amplificadores de audio y RF de uso general. La ganancia de corriente de 10 y baja saturación VCE (1.0V) optimizan eficiencia en aplicaciones lineales.

SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 27 de enero de 2026
ID Producto: 4202