Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E - 1

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

2SC3133

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
Frecuencia de operación hasta 27 MHz
Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
Potencia de salida disponible de 13 watts
Reemplazo directo para el modelo 2SC1945

Especificaciones Técnicas

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Sustituto: 2SC1945

Características Técnicas

Tipo: NPN Epitexial
Frecuencia: 27 MHz
Tensión Colector-Emisor: 12 Vcc
Potencia: 13 Watt
Encapsulado: T-30E
Disipación total (Pc): 20 W
Tensión Colector-Base (Vcb): 60 V
Tensión Emisor-Base (Veb): 5 V
Corriente del Colector (Ic): 6 A
Temperatura máxima (Tj): 150 °C
Ganancia de corriente (hFE): 10

Información de Sustitución

Compatibilidad: Sustituye al modelo 2SC1945
Aplicaciones: Circuitos de RF y amplificación
Uso: Sistemas de comunicación y transmisión

Aplicaciones Técnicas

Amplificadores de RF

Transmisores de 27 MHz

Circuitos de conmutación

Sistemas de comunicación