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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Imágenes del Producto

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E - 1
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E - 2

Información Básica

Marca
SYSCOM
Modelo
2SC3133
Garantía
3

Características Principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida de 13 watts
  • Reemplazo directo para modelo 2SC1945
  • Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada

Especificaciones Técnicas

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia.

Características principales

  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida disponible de 13 watts

Compatibilidad

  • Reemplazo directo para el modelo 2SC1945

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Ficha técnica generada el 13 de marzo de 2026
ID Producto: 4200