Transistor de Potencia NPN de Alto Voltaje en Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.
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Información Básica
Características Principales
- Transistor NPN de silicio con 400 Vc-b
- Corriente máxima de 10 A para alta potencia
- Capacidad de disipación de 80 Watt
- Empaque TO-247 para aplicaciones industriales
- Diseñado para circuitos de alta velocidad
Especificaciones Técnicas
Transistor de Potencia NPN de Silicio, 400 Vc-b, 10 A. 80 Watt, TO-247.
- Diseñado para uso en Alto-Voltaje, Alta Velocidad, en circuitos inductivos de potencia conmutada y aplicaciones en modo de conmutación tales como Reguladores de Switcheo y Convertidores.
Consideraciones de Diseño
Este transistor está diseñado específicamente para aplicaciones de potencia conmutada que requieren operación a alto voltaje y alta velocidad. Su encapsulado TO-247 proporciona disipación térmica eficiente para manejar los 80W de potencia nominal.
El transistor 2SC2625 presenta características de conmutación optimizadas con tiempo de caída (tf) de 0.3 μs típico y tiempo de almacenamiento (ts) de 1.5 μs típico, adecuado para frecuencias de conmutación moderadas. La ganancia de corriente (hFE) de 15-60 @ Ic=5A, Vce=5V proporciona margen de diseño para aplicaciones de control. La temperatura máxima de unión de 150°C requiere consideración térmica adecuada en diseños de alta potencia.