Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3

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Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3 - 1

Información Básica

Marca

RF PARTS

Modelo

2N5885

Garantía

3

Características Principales

Transistor NPN de silicio de 60 Vce
Corriente colector de 25 A continuos
Disipación de 200 W a 25°C
Bajo VCE(sat) de 1.0 V max
Alta ganancia DC (hFE) de 20 min
Ancho de banda 4.0 MHz min a 1.0 A

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Transistor de Silicio NPN
Voltaje Colector-Emisor: 60 Vdc
Corriente Colector: 25 Adc (máximo)
Disipación de Potencia: 200 Watts
Paquete: TO-3 (Montaje TO-204AA)
Diseñado para aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación
Bajo voltaje de saturación Colector-Emisor
Baja corriente de fuga
Excelente ganancia de corriente DC
Alto ancho de banda de ganancia de corriente

Especificaciones Principales

VCE(sat): 1.0 Vdc (máximo) a IC = 15 Adc
ICEX: 1.0 mAdc (máximo) a voltaje nominal
hFE: 20 (mínimo) a IC = 10 Adc
ft: 4.0 MHz (mínimo) a IC = 1.0 Adc
VCEO: 60 Vdc
IC: 25 Adc (continua), 50 Adc (pico)
PD: 200 Watts @ TC = 25°C
Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
TJ, Tstg: Rango de temperatura -65 a +200°C

Especificaciones Eléctricas

Características ON

VCE(sat): 1.0 Vdc (máx) a IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc
VCE(sat): 4.0 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
VBE(sat): 2.5 Vdc (máx) a IC = 25 Adc, IB = 6.25 Adc
VBE(on): 1.5 Vdc (máx) a IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc

Características OFF

ICEO: 2.0 mAdc (máx) a VCE = 30 Vdc, IB = 0
ICEX: 1.0 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc
ICEX: 10 mAdc (máx) a VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C
ICBO: 1.0 mAdc (máx) a VCB = 60 Vdc, IE = 0
IEBO: 1.0 mAdc (máx) a VEB = 5.0 Vdc, IC = 0

Características Dinámicas y de Conmutación

Características Dinámicas

fT: 4.0 MHz (mín) a IC = 1.0 Adc
Cob: 500 pF (máx) a VCB = 10 Vdc
hfe: 20 (mín) a IC = 3.0 Adc

Características de Conmutación

tr: 0.7 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
ts: 1.0 ms (máx) a VCC = 30 Vdc
tf: 0.8 ms (máx) a VCC = 30 Vdc

Características Térmicas

qJC: 0.875°C/W (máx) Resistencia térmica, unión a carcasa
Derating: 1.15 W/°C sobre 25°C
TJ(pk)-TC: P(pk) qJC(t) para tren de pulsos
Región segura de operación: Limitada por disipación térmica, segundo breakdown y límites de alambrado

Condiciones de Prueba

Prueba de pulso: Ancho de pulso ≤ 300 μs, ciclo de trabajo ≤ 2.0%
fT = |hfe| • ftest
Para curvas de conmutación: RB y RL variables
Niveles de entrada aproximados como se muestra

Aplicaciones Típicas

Amplificadores de potencia
Circuitos de conmutación
Fuentes de alimentación
Controles industriales
Circuitos de potencia general

Información de Empaque

El transistor 2N5885 está disponible en empaque TO-3 (Caso 1-07, TO-204AA) para montaje en disipadores de calor. El diseño de montaje permite una disipación térmica eficiente y una fácil instalación en circuitos de potencia.