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Ficha Técnica - 2N3055 | SYSCOM
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Transistor de Silicio NPN, 30 Vce, 15 Amp., 115 Watt, Paquete TO-3.
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM
Modelo
2N3055
Garantía
3
Características Principales
Transistor NPN de silicio de alta potencia
VCEO de 60 V y corriente de 15 A
Disipación de 115 W en paquete TO-3
Baja resistencia térmica de 1.5 °C/W
Frecuencia de transición de 3 MHz
Aplicaciones en conmutación, reguladores y amplificadores de alta fidelidad
Especificaciones Técnicas
Características Principales
Transistor de Silicio NPN
Voltaje Colector-Emisor (Vceo): 60 V
Corriente Colector (Ic): 15 A
Disipación Total: 115 W
Paquete TO-3 metálico
Resistencia Térmica (Rthj-case): 1.5 °C/W
Aplicaciones
Circuitos de conmutación de potencia
Reguladores de voltaje serie y paralelo
Etapa de salida en amplificadores
Amplificadores de alta fidelidad
Especificaciones Eléctricas
Vceo:
60 V
Vcer:
70 V
Vebo:
7 V
Ic:
15 A
Ib:
7 A
Vce(sat):
1 V (Ic=4A, Ib=400mA)
Vbe:
1.8 V (Ic=4A, Vce=4V)
hFE:
20-70 (Ic=4A, Vce=4V)
fT:
3 MHz (Ic=0.5A, Vce=10V)
Condiciones Máximas
Vcbo:
100 V
Vcer:
70 V
Vceo:
60 V
Vebo:
7 V
Ic:
15 A
Ib:
7 A
Ptot:
115 W
Tj:
200 °C
Tstg:
-65 a 200 °C
Características Mecánicas
Paquete:
TO-3
Material:
Metal
Dimensiones:
39.30 mm (U) x 30.30 mm (V)
Peso:
40 g