Transistor NPN de silicio epitaxial de 4 pines diseñado para aplicaciones de amplificación de media salida en equipos de radiocomunicación profesional. Ofrece alta ganancia combinada con bajo nivel de ruido, garantizando señales limpias en entornos de RF exigentes. Su arquitectura de mini molde permite integración compacta en circuitos de preamplificación y etapas driver. Opera eficientemente con bajas tensiones de alimentación, reduciendo el consumo energético del sistema. Presenta capacidad de transferencia inversa mínima que mejora la estabilidad en frecuencias elevadas. Componente específico para radios portátiles y móviles de la serie TK y RK.
Características principales
- Alta ganancia con mínimo nivel de ruido térmico
- Funcionamiento estable a baja tensión de alimentación
- Capacidad de transferencia inversa reducida
- Mini molde compacto de 4 pines para integración sencilla
- Optimizado para amplificación de media salida
- Compatible con radios profesionales TK-2312, TK-2317 y RK-3312K
Especificaciones técnicas
Tipo
Transistor NPN de silicio epitaxial
Estructura
Mini molde de 4 pines
Aplicación principal
Amplificación de media salida
Rendimiento
Alta ganancia con bajo nivel de ruido
Característica especial
Baja capacidad de transferencia inversa
Operación
Funcionamiento eficiente a baja tensión
Aplicaciones típicas
Equipos de radiocomunicación
Circuitos de preamplificación
Sistemas de intercomunicación
Compatibilidad