Transistor MOSFET RF de Potencia / VHF 136-174 MHz / 70W Salida / 30V VDSS / 32 Canales
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
KENWOOD
Modelo
RD70-HVF1-101
Garantía
1
Características Principales
- Alta eficiencia energética del 60% en banda VHF
- Operación estable en rango extremo -40°C a +175°C
- Impedancia 50Ω con protección VSWR 20:1
- Transistor de silicio con disipación de 150W
- Cumplimiento RoHS para instalaciones profesionales
- Aplicación en etapas finales de amplificadores de radio móvil
Especificaciones Técnicas
Transistor MOSFET de potencia RF diseñado para etapas finales de amplificadores en equipos de radio móvil profesional. Opera en banda VHF con frecuencia central de 175 MHz, entregando 70W de potencia máxima con eficiencia del 60% típica. Su arquitectura de silicio de 30V VDSS permite alta linealidad y estabilidad térmica en condiciones extremas de operación. Compatible con sistemas de 32 canales programables e ideal para reemplazo en repetidores y transceptores de alta potencia en infraestructuras críticas de comunicaciones.
Características Principales
- Alta eficiencia energética: 60% típica en VHF, 55% típica en UHF
- Rango de temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
- Impedancia 50Ω entrada/salida con tolerancia VSWR 20:1
- Disipación térmica de canal: 150W para operación continua
- Cumplimiento RoHS para despliegue en entornos regulados
- Aplicación en etapas finales de amplificadores de radio móvil VHF/UHF
Especificaciones Técnicas
Frecuencia de Operación
136-174 MHz (banda VHF)
175 MHz @ 70W
520 MHz @ 50W (banda UHF)
175 MHz @ 70W
520 MHz @ 50W (banda UHF)
Potencia de Salida
70W @ 175 MHz
50W @ 520 MHz
50W @ 520 MHz
Tensión VDSS
30V (drenaje a fuente)
Tensión VGSS
±20V (compuerta a fuente)
Disipación de Canal
150W
Eficiencia
60% típica (VHF)
55% típica (UHF)
55% típica (UHF)
Impedancia
50Ω entrada/salida
VSWR 20:1
VSWR 20:1
Rango de Temperatura
Almacenamiento: -40°C a +175°C
Operativa: -30°C a +60°C
Operativa: -30°C a +60°C
Canales Programables
32 canales
Material / Cumplimiento
Transistor MOSFET RF de silicio
Cumple con RoHS
Cumple con RoHS
Aplicaciones
- Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
- Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF
- Repetidores profesionales NXR-710, TKR-750V2, TK-7102HKV2