FET FINAL D/POT.P/NXR-710/TKR750V2/TK7102HKV2
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
KENWOOD
Modelo
RD70-HVF1-101
Garantía
1
Características Principales
- Frecuencia de operación 136-174 MHz banda VHF
- Potencia máxima de salida 70 W @ 175 MHz
- 32 canales programables con alta eficiencia energética
- Transistor MOSFET RF de silicio 30V VDSS
- Rango de temperatura -40°C a +175°C de almacenamiento
- Impedancia 50Ω entrada/salida con VSWR 20:1
Especificaciones Técnicas
Características Principales
- Frecuencia de operación: 136-174 MHz banda VHF
- Potencia máxima de salida: 50 W
- Capacidad de 32 canales programables
- Pantalla LED brillante para mejor visualización
- Rango de temperatura operativa: -30°C a +60°C
Características Técnicas
- Transistor MOSFET de potencia RF de silicio
- Cumple con RoHS
- Frecuencia de operación: 175 MHz (70W) y 520 MHz (50W)
- Tensión de drenaje a fuente (VDSS): 30V
- Disipación del canal: 150W
- Eficiencia alta: 60% típica en banda VHF, 55% típica en banda UHF
Aplicaciones
- Etapa de salida de amplificadores de alta potencia
- Equipos de radio móvil en bandas VHF/UHF
Especificaciones Eléctricas
- Tensión de compuerta a fuente (VGSS): ±20V
- Corriente de drenaje: 20A
- Temperatura de canal: 175°C
- Resistencia térmica unión a carcasa: 1.0°C/W
- Corriente de drenaje a VGS=0V: 300μA (máx.)
- Corriente de fuga de compuerta: 5μA (máx.)
- Voltaje de umbral: 1.3V a 2.3V
Precauciones de Uso
- Alta temperatura: El producto puede generar calor durante la operación
- Generación de potencia de alta frecuencia: Puede generar ondas eléctricas innecesarias
- Sensible a descargas electrostáticas (ESD)
- No usar por debajo de la frecuencia recomendada
- Mantener baja la temperatura del dispositivo para maximizar la confiabilidad
- No exceder las condiciones de clasificación máxima
Condiciones de Operación
- Tensión de alimentación: 12.5V
- Potencia de salida: >70W @ 175MHz, >50W @ 520MHz
- Ganancia: >10.6dB @ 175MHz, >7.0dB @ 520MHz
- Impedancia de entrada/salida: 50Ω
- Tensión de prueba: 12.5V (Vdd)
Dimensiones y Conexiones
- Conexiones:
- 1. Drenaje (DRAIN)
- 2. Fuente (SOURCE)
- 3. Compuerta (GATE)
- Dimensiones: 25.0±0.3mm (largo) x 7.0±0.5mm (ancho)
- Tolerancia VSWR: 20:1 (toda fase) en 175MHz y 520MHz
Condiciones de Almacenamiento
- Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C
- Temperatura de canal: Máxima 175°C
- Temperatura operativa recomendada: Hasta 120°C (canal) o 140°C (máx. 175°C)
Notas Importantes
1. Las especificaciones pueden cambiar sin previo aviso debido a mejoras del producto.
2. Los productos RD series (transistores de potencia RF) no están diseñados para uso en aplicaciones críticas como sistemas médicos, aeroespaciales o nucleares sin aprobación previa.
3. El uso de estos productos requiere evaluación completa del sistema y medidas de seguridad adecuadas.
4. El retiro de la cubierta protectora del producto anula la garantía.
5. Para aplicaciones críticas o donde pueda haber riesgos, contactar a Mitsubishi Electric Corporation o a un distribuidor autorizado.