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Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.

Imágenes del Producto

Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35. - 1
Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35. - 2
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Información Básica

Marca
SYSCOM
Modelo
1N4148
Garantía
3

Características Principales

  • Corriente directa 300 mA para alta eficiencia
  • Voltaje inverso máximo de 75 V
  • Disipación de potencia de 0.5 Watts
  • Tiempo de recuperación rápido de 4.0 ns
  • Empaque compacto tipo DO-35

Especificaciones Técnicas

Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.

Especificaciones Técnicas
  • Corriente directa: 300 mA
  • Voltaje inverso: 75 V
  • Potencia: 0.5 Watt
  • Tiempo de recuperación: 4.0 nS
  • Empaque: DO-35
  • Voltaje de ruptura (VR): 100 V (IR = 100 μA)
  • Corriente rectificada promedio (IO): 200 mA
  • Corriente directa recurrente pico (If): 400 mA
  • Corriente de sobrecarga no repetitiva (IFSM): 1.0 A (pulso 1.0 s), 4.0 A (pulso 1.0 μs)
  • Voltaje directo (VF): 1.0 V máximo (IF = 10 mA)
  • Corriente de fuga inversa (IR): 5.0 μA máximo (VR = 75 V), 0.025 μA máximo (VR = 20 V)
  • Capacitancia total (CT): 4.0 pF máximo (VR = 0, f = 1.0 MHz)
Aplicaciones
  • Circuitos de conmutación rápida
  • Protección de polaridad inversa
  • Circuitos de detección de señal
  • Aplicaciones de alta frecuencia
  • Sistemas de conmutación digital

Características Técnicas

  • Tiempo de recuperación: 4.0 nanosegundos para conmutación rápida
  • Empaque DO-35: Formato estándar de diodo de vidrio para montaje axial
  • Voltaje inverso: 75V para protección adecuada en circuitos de baja tensión
  • Corriente directa: 300mA para aplicaciones de señal y conmutación
  • Disipación de potencia: 0.5W para manejo térmico eficiente
  • Rango de temperatura de operación: -55°C a +175°C (unión)
  • Rango de temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
  • Resistencia térmica: 300°C/W (unión a ambiente)
  • Capacitancia baja: 4.0 pF para minimizar efectos parásitos en circuitos de alta frecuencia
  • Corriente de fuga inversa: 5.0 μA máximo a 75V, adecuada para aplicaciones de precisión
  • Voltaje de ruptura: 100V para margen de seguridad adicional

Consideraciones de Integración

El diodo 1N4148 es un componente estándar de la industria para aplicaciones de conmutación rápida. Su tiempo de recuperación de 4.0 nS lo hace adecuado para circuitos de alta frecuencia.

El empaque DO-35 permite montaje axial estándar en PCB, compatible con procesos de soldadura convencionales.

Características térmicas: La resistencia térmica de 300°C/W requiere consideración de disipación en aplicaciones de alta corriente. La potencia máxima de 500 mW se deratea linealmente con temperatura ambiente.

Identificación de terminales: El cátodo está marcado con una banda negra en el cuerpo del diodo DO-35, facilitando la orientación correcta durante el montaje.

Compatibilidad: El 1N4148 es funcionalmente equivalente a los modelos 1N914 en muchas aplicaciones, con especificaciones eléctricas similares.

SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 27 de enero de 2026
ID Producto: 2757