Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35.

Imágenes del Producto

Diodo de Conmutación, I fwd. 300 mA, Vrev 75 V, 0. 5 Watt, Tiempo de Recuperación 4.0 nS, Empacado DO-35. - 1

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Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

1N4148

Garantía

3

Características Principales

Corriente directa de 300 mA para alta eficiencia
Voltaje inverso máximo de 75 V
Disipación de potencia de 0.5 W
Tiempo de recuperación inversa de 4.0 ns
Empaque DO-35 (DO-204AH) compacto y estándar
Capacitancia total de 4.0 pF a 1 MHz

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Corriente directa (I_F) de 300 mA
Voltaje inverso máximo (V_RRM) de 75 V
Disipación de potencia (P_D) de 0.5 W
Tiempo de recuperación inversa (t_rr) de 4.0 ns
Empaque tipo DO-35 (DO-204AH)

Especificaciones Eléctricas

Corriente directa máxima: 300 mA
Corriente inversa: 5.0 μA (VR=75V)
Voltaje de ruptura: 75 V (IR=5.0 μA)
Voltaje directo: 1.0 V (IF=10 mA)
Capacitancia total: 4.0 pF (VR=0, f=1.0 MHz)

Especificaciones Mecánicas

Tipo de empaque: DO-35 (DO-204AH)
Peso: 0.137 gramos
Dimensiones: 4.56 x 1.91 mm (diámetro x longitud)
Material: Vidrio hermético
Marcaje: Banda negra en cátodo

Especificaciones Térmicas

Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
Temperatura de operación: -55°C a +175°C
Resistencia térmica: 300°C/W

Aplicaciones Típicas

Circuitos de conmutación de alta velocidad
Rectificación en fuentes de alimentación
Protección contra polaridad inversa
Circuitos de detección de señales
Conmutación en circuitos digitales

Condiciones Límite

Corriente de pico no repetitivo: 4.0 A (1.0 μs)
Corriente promedio rectificada: 200 mA
Temperatura de unión: -55°C a +175°C

Información de Almacenamiento

Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
Humedad: 85% RH a 85°C (prueba de humedad)