Módulo Amplificador de reemplazo de etapa final para 860-900 MHz, 85 Watt.
Imágenes del Producto
Información Básica
Características Principales
- Compatible con rango 860-900 MHz
- Potencia de salida hasta 85 watt
- Reemplazo directo para etapa final
- Optimizado para amplificación de señal
- Diseño compacto y eficiente
Especificaciones Técnicas
Módulo Amplificador de reemplazo de etapa final para 860-900 MHz, 85 Watt.
Características Técnicas
- Frecuencia: 860-900 MHz
- Potencia: 85 Watt
- Tipo: Módulo amplificador de etapa final
- Aplicación: Reemplazo directo para sistemas existentes
- Clase de operación: AB, NPN, emisor común
- Tensión de operación: 25 Vdc
- Eficiencia del colector: 50% a 85 Watts
- Ganancia típica: 9.5 dB a 900 MHz, 85W
- Corriente de polarización: 200 mA (ICQ)
- Tolerancia a desadaptación: 10:1 en todos los ángulos de fase
- IMD (Distorsión por Intermodulación): -30 dBc máximo a 60 W(PEP)
Especificaciones
- Marca: TPL Communications
- Modelo: PTB20111
- Compatibilidad: Diseñado para integración en sistemas profesionales
- Uso: Sistemas de comunicación en banda UHF
- Tensión colector-emisor (VCER): 40 Vdc máximo
- Tensión colector-base (VCBO): 65 Vdc máximo
- Tensión emisor-base (VEBO): 4.0 Vdc máximo
- Corriente de colector continua: 20 Adc máximo
- Disipación total del dispositivo: 159 Watts a Tflange = 25°C
- Derating térmico: 0.91 W/°C por encima de 25°C
- Resistencia térmica (RθJC): 1.1 °C/W a Tflange = 70°C
- Temperatura de almacenamiento: -40 a +150 °C
Información para Integradores
Este módulo amplificador está diseñado específicamente para integradores profesionales y técnicos de instalación, proporcionando una solución de reemplazo directo para sistemas de comunicación en la banda de 860-900 MHz con potencia de 85 Watt. Su diseño garantiza compatibilidad con infraestructuras existentes y facilita la integración en sistemas profesionales de telecomunicaciones. El transistor RF de potencia clase AB opera a 25 Vdc con eficiencia del colector del 50% a potencia nominal, y ofrece ganancia típica de 9.5 dB a 900 MHz. La tolerancia a desadaptación de carga de 10:1 en todos los ángulos de fase asegura estabilidad en condiciones de operación reales. Las características de fabricación incluyen metalización en oro, pasivación con nitruro de silicio e implantación iónica para máxima confiabilidad y trazabilidad completa por lote.