Transistor bipolar de radiofrecuencia diseñado para aplicaciones profesionales que demandan operación confiable en el espectro de alta frecuencia. Fabricado con silicio semiconductor de alta pureza que garantiza respuesta eléctrica consistente y bajo nivel de ruido en circuitos amplificadores y osciladores. Su configuración de emisor común facilita la integración en etapas de potencia RF y sistemas de comunicación. El encapsulado TO-52 hermético proporciona protección superior contra humedad y contaminantes, extendiendo la vida útil en condiciones industriales exigentes.
Características principales
- Transistor bipolar optimizado para aplicaciones de radiofrecuencia
- Frecuencia de operación máxima: 100 MHz
- Material semiconductor: silicio de alta pureza
- Configuración de emisor común para versatilidad de circuito
- Encapsulado TO-52 con sellado hermético
- Construcción robusta para entornos profesionales e industriales
Especificaciones técnicas
Tipo de dispositivo
Transistor bipolar RF
Frecuencia máxima
100 MHz
Material semiconductor
Silicio de alta pureza
Configuración
Emisor común
Encapsulado
TO-52 hermético
Aplicación principal
Radiofrecuencia / RF