Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

Características Técnicas

• Tipo: Transistor NPN de Silicio
• Frecuencia: 470 MHz
• Voltaje Colector-Emisor: 12.5 Vcc
• Ganancia: 8.0 dB
• Potencia: 0.75 Watt
• Referencia: 79-04
• Corriente Colector Máxima: 0.5 A
• Temperatura de Unión: 200°C
• Voltaje Colector-Base: 30 V
• Voltaje Emisor-Base: 4.0 V

Aplicaciones

• Amplificadores de RF de alta frecuencia
• Sistemas de comunicación en banda UHF
• Equipos de transmisión de 470 MHz
• Circuitos osciladores de RF
• Sistemas de amplificación de señal
• Amplificadores de potencia clase C
• Sistemas de comunicación móvil
• Equipos de radio profesional

Especificaciones Eléctricas

• V_CEO: 12.5 V
• I_C max: 0.5 A
• P_TOT: 0.75 W @ T_C = 25°C
• f_T: 470 MHz
• G_P: 8.0 dB @ 470 MHz, V_CE = 12.5 V, I_C = 50 mA
• V_CBO: 30 V
• V_EBO: 4.0 V
• T_J: 200°C

Características de RF

• Frecuencia operación: 470 MHz
• Ancho de banda: Optimizado para 470 MHz
• Ganancia de potencia: 8.0 dB típica @ 470 MHz
• Eficiencia: Alta eficiencia para amplificadores clase C
• Linealidad: Adecuada para aplicaciones RF
• Capacitancia entrada: 6.0 pF típica
• Capacitancia salida: 2.0 pF típica

Consideraciones Técnicas

• Requiere circuitos de adaptación de impedancia
• Necesita disipación térmica adecuada
• Compatibilidad con circuitos de polarización estándar
• Adecuado para montaje en PCB
• Cumple con referencia 79-04
• Paquete TO-39 con aislamiento térmico
• Recomendado para operación en clase C
• Condiciones de prueba: V_CE = 12.5 V, I_C = 50 mA

Información Técnica

Transistor NPN de silicio diseñado para operación en frecuencia de 470 MHz con características optimizadas para aplicaciones de RF y comunicaciones. Diseñado específicamente para amplificadores de potencia clase C en sistemas de comunicación UHF.

El transistor MRF515 está encapsulado en paquete TO-39 metálico que proporciona excelente aislamiento térmico y eléctrico. Las especificaciones están garantizadas a temperatura de caja de 25°C.

La referencia 79-04 indica especificaciones particulares de fabricación y control de calidad para aplicaciones profesionales, con parámetros eléctricos medidos bajo condiciones estándar de prueba.

Condiciones de Operación

• Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C
• Temperatura de operación: -55°C a +200°C
• Condiciones de prueba estándar: V_CE = 12.5 V, I_C = 50 mA
• Derating térmico: 6.0 mW/°C por encima de 25°C
• Configuración recomendada: Amplificador clase C para máxima eficiencia