Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

Características técnicas

• Tipo: Transistor de Silicio NPN
• Rango de frecuencia: 2-30 MHz
• Tensión de colector: 12.5 Vcc
• Potencia de salida: 12.5 Watt
• Referencia: 211-07
• Ganancia de potencia (Pout): 12.5 W mínimo a 30 MHz
• Ganancia de potencia (Gpe): 8.5 dB típico a 30 MHz
• Eficiencia: 60% típico
• Corriente de colector (Ic): 1.5 A
• Corriente de base (Ib): 150 mA
• Voltaje colector-emisor (Vceo): 36 V
• Voltaje colector-base (Vcbo): 36 V
• Voltaje emisor-base (Vebo): 4.0 V
• Potencia de disipación (Ptot): 60 W a 25°C
• Temperatura de unión (Tj): 200°C
• Temperatura de almacenamiento: -65°C a +200°C

Aplicaciones

• Amplificadores de RF en banda HF
• Transmisores de comunicaciones
• Sistemas de radio profesional
• Equipos de transmisión de 2-30 MHz
• Amplificadores de potencia clase C
• Sistemas de radio móvil
• Equipos de comunicaciones marítimas
• Sistemas de radioaficionados

Consideraciones técnicas

• Transistor NPN para aplicaciones de RF en banda HF
• Diseñado para operación en el rango de 2-30 MHz
• Adecuado para sistemas de transmisión profesional
• Compatibilidad con diseños de amplificadores de potencia
• Diseñado para operación en clase C con alta eficiencia
• Requiere disipador térmico adecuado para máxima potencia
• Optimizado para circuitos de acoplamiento de RF
• Temperatura de unión máxima de 200°C

Condiciones de operación

• Temperatura de operación: -65°C a +200°C
• Potencia de disipación: 60 W a 25°C
• Corriente de colector máxima: 1.5 A
• Corriente de base máxima: 150 mA
• Voltaje de operación recomendado: 12.5 V
• Frecuencia de operación: 2-30 MHz

Características de rendimiento

• Ganancia de potencia típica: 8.5 dB a 30 MHz
• Potencia de salida mínima: 12.5 W a 30 MHz
• Eficiencia típica: 60%
• Buen rendimiento en aplicaciones de amplificación lineal
• Baja distorsión en operación clase C
• Estabilidad en amplificadores de RF