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Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc

Imágenes del Producto

Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc - 1
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 7.5 Vcc - 2

Información Básica

Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
MRF-1517-T1
Garantía
3

Características Principales

  • Transistor tipo N
  • 520Mhz, 8W, 7.5V
  • CASE 466-02

Especificaciones Técnicas



El Transistor MRF1517T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7,5 voltios

Rendimiento especificado @ 520 MHz,7.5 Volts.

  • Potencia de salida 8 Watts.
  • Ganancia de potencia 11dB.
  • Eficiencia- 55%.
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
  • Excelente estabilidad térmica.
  • Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 9,5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
  • Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.

SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 27 de enero de 2026
ID Producto: 24113