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Unidad de Estado Sólido (SSD) 1024 GB / ALTO RENDIMIENTO / Hasta 7100B/s / M.2 NVMe / Para Gaming y PC Trabajo Pesado

Imágenes del Producto

Unidad de Estado Sólido (SSD) 1024 GB / ALTO RENDIMIENTO / Hasta 7100B/s / M.2 NVMe / Para Gaming y PC Trabajo Pesado - 1
Unidad de Estado Sólido (SSD) 1024 GB / ALTO RENDIMIENTO / Hasta 7100B/s / M.2 NVMe / Para Gaming y PC Trabajo Pesado - 2
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Información Básica

Marca
HIKSEMI by HIKVISION
Modelo
HS-SSD-FUTURE-LITE/1024G
Garantía
5

Características Principales

  • Capacidad extraordinaria de hasta 1024 GB
  • Velocidad de lectura ultra rápida: 7440 MB/s
  • Velocidad de escritura de 6610 MB/s
  • Interfaz PCIe Gen 4 x 4 para máximo rendimiento
  • Funcionamiento a temperaturas extremas: -40°C a 85°C

Especificaciones Técnicas

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Especificaciones

Características Principales
  • Capacidad: 1024 GB
  • Velocidad de Lectura: 7440 MB/s
  • Velocidad de Escritura: 6610 MB/s
  • Consumo Máximo: 6.7W
  • Interfaz: PCIe Gen 4 x 4
  • MTBF: 2,000,000 hours
  • Temperatura de Operación: -40°C to 85°C (-40 °F to +185°F)
  • Factor de forma: M.2 / PCIe Gen 3 x 4 / NVMe
  • Tamaño: 80.15 mm x 22.15 mm x 2.38 mm
  • Peso: ≤ 7 gramos
  • TBW (Total Bytes Written): 750 TB
  • IOPS 4K Aleatorio Lectura: 915K
  • IOPS 4K Aleatorio Escritura: 462K
  • Temperatura de Trabajo: 0°C to 70°C (32°F to 158°F)
  • Garantía: 5 años
  • Medio de Almacenamiento: 3D NAND Flash
  • Factor de Forma Específico: M.2 2280

¿Quién es HIKSEMI?

Unidades de Estado Sólido

Imagen de Fondo

FUTURE

SSD PCIe 4.0 NVMe M.2

Alta Velocidad

Alta Velocidad

La unidad SSD M.2 FUTURE LITE ofrece velocidad de lectura de 7100MB/s, proporcionando rendimiento para aplicaciones exigentes.

Especificaciones de rendimiento para 1024GB:
• Velocidad secuencial máxima lectura: 7000 MB/s
• Velocidad secuencial máxima escritura: 6000 MB/s
• Rendimiento 4K aleatorio lectura: 915K IOPS
• Rendimiento 4K aleatorio escritura: 462K IOPS
• Consumo máximo de energía: 4.9W

Innovación en el Almacenamiento

Los SSD M.2 FUTURE LITE incorporan tecnología avanzada con capacidades de hasta 4TB, combinando diseño funcional con soluciones de almacenamiento integrales.

Características técnicas adicionales:
• Tecnología 3D NAND Flash para mayor capacidad y estabilidad
• Diseño sin estructura mecánica para mayor resistencia a golpes y caídas
• Factor de forma específico: M.2 2280
• TBW (Total Bytes Written): 750 TB para la versión de 1024GB
• Garantía extendida: 5 años

Innovación en el Almacenamiento
Imagen de Fondo

Menor consumo de energía, disipación térmica avanzada

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SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 28 de enero de 2026
ID Producto: 234812