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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

Imágenes del Producto

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA . - 1
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA . - 2

Información Básica

Marca
SYSCOM
Modelo
2SC-3451
Garantía
3

Características Principales

  • Capacidad de voltaje hasta 500 Vc-B
  • Corriente máxima de operación 15 A
  • Potencia de salida de 100 W
  • Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad
  • Adecuado para inversores alta frecuencia

Especificaciones Técnicas

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PB.

Descripción técnica

  • Alto voltaje y alta velocidad de conmutación
  • Empaque TO-3PB
  • Alta confiabilidad
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V
  • Corriente base máxima (IB): 5 A
  • Resistencia térmica juntura-carcasa (Rth(j-c)): 1.56 °C/W

Aplicaciones

  • Reguladores de switcheo
  • Generadores ultrasónicos
  • Inversores de alta frecuencia
  • Amplificadores de potencia de uso general
Características eléctricas
  • Tipo: NPN
  • Voltaje colector-base: 500 V
  • Corriente: 15 A
  • Potencia: 100 W
  • Voltaje colector-emisor (VCEO): 400 V
  • Voltaje emisor-base (VEBO): 7 V
  • Corriente base máxima (IB): 5 A
  • Voltaje saturación colector-emisor (VCEsat): 1.0 V (típico)
  • Voltaje saturación base-emisor (VBEsat): 1.5 V (típico)
  • Ganancia de corriente DC (hFE): 10 (mínimo)
  • Corriente corte colector (ICBO): 1.0 mA (máximo)
  • Corriente corte emisor (IEBO): 1.0 mA (máximo)
Características físicas
  • Empaque: TO-3PB
  • Material: Silicio
  • Categoría: Transistor de potencia
  • Disipación potencia colector (PC): 80 W (TC=25°C)
  • Temperatura juntura: 150 °C (máxima)
  • Temperatura almacenamiento: -65 a 150 °C
  • Resistencia térmica: 1.56 °C/W (juntura-carcasa)
Características de conmutación
  • Tiempo encendido (ton): 0.5 μs
  • Tiempo almacenamiento (ts): 1.5 μs
  • Tiempo caída (tf): 0.15 μs
  • Condiciones conmutación: IC=7.5A, IB1=1.5A, IB2=-3A, RL=20Ω
  • Ancho pulso: 20 μs, Duty cycle ≤ 2%

Configuración de pines (TO-3PB)

  • Pin 1: Base
  • Pin 2: Colector (conectado a base de montaje)
  • Pin 3: Emisor

SYSCOM.MX
Ficha técnica generada el 27 de enero de 2026
ID Producto: 213774