Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA .

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Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA . - 1

Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 100 Watt, TO-3PA . - 2

Información Básica

Marca

SYSCOM

Modelo

2SC-3451

Garantía

3

Características Principales

Voltaje colector-base máximo de 500 V
Corriente colector máxima de 15 A
Potencia disipación colector de 80 W
Encapsulado TO-3PB para alta confiabilidad
Temperatura de unión hasta 150 °C
Tecnología de conmutación rápida

Especificaciones Técnicas

Características Principales

Voltaje colector-base máximo: 500 V
Corriente colector máxima: 15 A
Potencia disipación colector: 80 W
Encapsulado TO-3PB
Temperatura de unión: 150 °C
Alta velocidad de conmutación
Alta confiabilidad

Especificaciones Eléctricas

V_CBO: 500 V (V_CEO: 400 V, V_EBO: 7 V)
I_C: 15 A (máx.)
I_B: 5 A (máx.)
P_C: 80 W (T_C=25°C)
V_CE(sat): 1.0 V (I_C=6A, I_B=1.2A)
V_BE(sat): 1.5 V (I_C=6A, I_B=1.2A)
h_FE: 10 (I_C=6A, V_CE=5V)

Tiempos de Conmutación

Tiempo de encendido (t_on): 0.5 μs
Tiempo de almacenamiento (t_s): 1.5 μs
Tiempo de caída (t_f): 0.15 μs

Temperatura

Temperatura de unión: 150 °C
Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 °C
Resistencia térmica (R_th(j-c)): 1.56 °C/W

Aplicaciones

Reguladores de conmutación
Generadores ultrasónicos
Inversores de alta frecuencia
Amplificadores de potencia de uso general