Transistor MOSFET de Potencia / 175-530 MHz / 70-84 W / 12.5 Vcc / 0.17 °C/W

Transistor MOSFET de potencia diseñado para aplicaciones VHF/UHF en bandas de 175 MHz y 530 MHz. Ofrece potencias de salida de 84 W a 175 MHz y 75 W a 530 MHz con eficiencia de drenador de 64-74% a 12.5 Vcc. Incorpora diodo de protección de puerta integrado y paquete moldeado para máxima robustez en entornos industriales. Su baja resistencia térmica de 0.17 °C/W permite gestión eficiente del calor en amplificadores de RF de alta potencia.

Características Principales

• Potencia de salida: 84 W (175 MHz) / 75 W (530 MHz)
• Eficiencia de drenador: 74% (175 MHz) / 64% (530 MHz)
• Tensión de alimentación: 12.5 Vcc
• Corriente de drenador máxima: 20 A
• Diodo integrado de protección de puerta
• Paquete moldeado para mayor robustez industrial
• Linealidad RF: -45 dBc ACLR / -40 dBc IMD3
• Resistencia térmica mínima: 0.17 °C/W
• Presentación: cinta y carrete (500 unidades por carrete)
• Cumple con estándares RoHS

Especificaciones Técnicas