Transistor MOSFET / 60 V / 35 A / 220 AB / Alta Eficiencia / Baja Resistencia ON
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
SYSCOM PARTS
Modelo
IRFZ44PBF-ND
Garantía
3
Características Principales
- Tecnología avanzada para máxima eficiencia energética
- Resistencia ON reducida minimiza pérdidas térmicas
- Disipación térmica optimizada para operación continua
- Diseñado para aplicaciones de alta potencia
- Corriente de drenaje de 220 A para picos de demanda
- Construcción robusta para entornos industriales exigentes
Especificaciones Técnicas
Transistor MOSFET de Potencia 60 V / 35 A
Este transistor MOSFET está diseñado para aplicaciones que demandan control eficiente de alta corriente en entornos de 60 V. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 35 A y picos de hasta 220 A, ofrece el rendimiento necesario para fuentes de alimentación, inversores, controladores de motores y sistemas de conmutación de potencia. Su arquitectura de baja resistencia en estado ON reduce significativamente las pérdidas por conducción, mientras que su diseño térmico optimizado permite operación sostenida sin degradación de rendimiento.
Características Principales
- Tecnología de proceso avanzada para máxima eficiencia de conmutación
- Baja resistencia RDS(ON) que minimiza pérdidas energéticas y calor generado
- Disipación térmica optimizada para operación continua en cargas elevadas
- Corriente de drenaje pulsada de 220 A para manejo de picos de demanda
- Ideal para fuentes conmutadas, inversores, drivers de motor y sistemas de potencia
- Encapsulado robusto para montaje en aplicaciones industriales
Especificaciones Técnicas
Tipo de Dispositivo
MOSFET Canal N
Voltaje Drenaje-Source (VDSS)
60 V
Corriente Continua (ID)
35 A
Corriente Pulsada (IDM)
220 A
Encapsulado
TO-220AB
Resistencia RDS(ON)
Baja (optimizada)
Tecnología
Proceso avanzado de alta eficiencia
Aplicaciones Típicas
Potencia, conmutación, control de motor
Nota para ingenieros: Verificar las curvas de disipación térmica según el diseño del disipador en la aplicación final. La resistencia térmica juntura-ambiente depende del método de montaje y refrigeración implementado.