Ficha Técnica - IRF9Z30

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Características básicas

FET Type P-Channel

Technology MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)

Pulsed Drain Current (Idm) 60 A

Continuous Drain Current @ 100°C 11 A

Parámetros eléctricos

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 9.3A, 10V

Rds On (Typical) @ Id, Vgs 93mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Vgs(th) (Min) @ Id 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V

Gate-Source Charge (Qgs) 10 nC @ 10V

Gate-Drain Charge (Qgd) 15 nC @ 10V

Características de operación

Vgs (Max) ±20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 25 V

Output Capacitance (Coss) 570 pF @ 25V

Reverse Transfer Capacitance (Crss) 140 pF @ 25V

FET Feature -

Power Dissipation (Max) 74W (Tc)

Forward Transconductance (gfs) 4.7 S (Typical)

Características físicas y térmicas

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type Through Hole

Supplier Device Package TO-220AB

Package / Case TO-220-3

Thermal Resistance Junction-to-Case 1.7 °C/W (Max)

Thermal Resistance Junction-to-Ambient 80 °C/W (Max)

Linear Derating Factor 0.59 W/°C

Base Product Number

IRF9Z30

Aplicación específica

Diseñado para uso en Analizador III

Características del diodo integrado

Diodo cuerpo integrado con corriente continua de 18A y voltaje directo máximo de 6.3V @ 18A

Consideraciones técnicas para integradores

Transistor MOSFET de canal P con capacidad de 50V y 18A continuos
Resistencia ON baja (0.14Ω) para eficiencia en aplicaciones de potencia
Disipación máxima de 74W con gestión térmica adecuada
Paquete TO-220AB estándar para montaje through-hole
Rango de temperatura operativa amplio (-55°C a 150°C)
Compatibilidad con tensiones de gate de hasta ±20V
Corriente de pulso máxima de 60A para aplicaciones de conmutación
Diodo cuerpo integrado con capacidad de 18A continuos y 6.3V máximo de caída directa
Tiempos de conmutación rápidos: t_d(on) 18ns, t_r 170ns, t_d(off) 32ns, t_f 96ns
Resistencia térmica baja: 1.7°C/W junction-to-case para gestión térmica eficiente
Aplicaciones típicas: control de motores, amplificadores de audio, convertidores conmutados, circuitos de control
Facilidad de paralelización y excelente estabilidad térmica

Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.

Imágenes del Producto

Información Básica

Características Principales

Especificaciones Técnicas

Base Product Number

Aplicación específica

Características del diodo integrado

Consideraciones técnicas para integradores