Este transistor MOSFET de potencia está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia en entornos industriales y de telecomunicaciones. Su arquitectura vertical permite manejar corrientes elevadas con mínimas pérdidas por conducción, optimizando el rendimiento térmico del sistema. El encapsulado robusto facilita la integración con disipadores de calor estándar, reduciendo la complejidad del diseño mecánico. Es especialmente adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, inversores, controladores de motores y sistemas de respaldo de energía donde la fiabilidad y la eficiencia son críticas.
Características Principales
- Corriente máxima de drenaje de 24A para manejo de cargas elevadas
- Voltaje de ruptura drenaje-fuente de 250V con margen de seguridad
- Resistencia de encendido RDS(on) de 0.18Ω para bajas pérdidas de conducción
- Disipación de potencia de 150W con gestión térmica adecuada
- Encapsulado TO-247 para montaje eficiente en disipadores
- Tecnología MOSFET de canal N para conmutación rápida
Especificaciones Técnicas
Tipo de dispositivo
MOSFET de potencia canal N
Corriente de drenaje máxima (ID)
24 A
Voltaje de ruptura drenaje-fuente (VDS)
250 V
Resistencia de encendido RDS(on)
0.18 Ω
Disipación de potencia máxima (PD)
150 W
Aplicaciones Típicas
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
- Inversores DC-AC para sistemas de respaldo
- Controladores de motores DC y brushless
- Convertidores DC-DC de alta potencia
- Sistemas de iluminación LED de alta intensidad
- Equipos de soldadura por arco